W05-(6) 電子実装設計におけるCAEの活用 : IT時代における機械工学の果たすべき役割(IT時代における機械工学の果たすべき役割 : 電子実装を中心として)(計算力学部門,材料力学部門,熱工学部門企画)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本機械学会の論文
• 2001-08-22

著者

• 三浦 英生

  日立機械研

• 三浦 英生

  東北大

関連論文

• 積層フリップチップ実装構造の残留応力低減構造に関する研究
• ピエゾ抵抗ひずみセンサを用いたフリップチップ実装構造内局所2軸残留応力分布の測定
• 1102 半導体デバイス特性の実装残留応力による変動評価(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 101 次世代半導体モジュールの局所変形と残留応力の測定(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
• (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
• 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
• 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
• 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
• 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
• 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
• シリコン熱酸化過程における応力解析
• 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
• アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
• 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
• 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
• 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
• 637 半導体溝型素子分離構造における酸化プロセス誘起応力解析
• 30a-ZS-3 浅溝型素子分離構造における酸化誘起応力解析
• 104 Ni基超合金の高温損傷メカニズムの解明と耐熱特性向上法の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
• ACF 等を用いた接触実装構造における接続信頼性影響因子の解明
• 111 レーザ素子を使用した動ひずみの遠隔計測に関する基礎検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
• 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
• High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 112 めっき銅薄膜のエレクトロマイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
• 102 多層カーボンナノチューブ分散ゴムによる大変形計測の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
• 1204 めっき錫バンプと銅薄膜配線間金属間化合物の機械特性(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 143 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学III)
• 203 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学I,材料力学)
• P57 クリープ劣化過程における一方向凝固Ni基超合金CM247LC材微視組織中の合金元素の偏析(OS13)
• P54 Ni基超合金の微視組織変化に基づく損傷評価(OS13)
• 204 熱遮へいコーティング/ボンドコーティング界面での酸化物成長に及ぼす応力の影響(OS6(1) コーティング部材の寿命管理・延伸)
• 305 Ni基超合金クリープ損傷の非破壊検査方法の提案(学生賞I)
• トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
• 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
• 温度サイクル環境におけるICプラスチックパッケージ内のシリコンチップ熱応力の検討
• ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ熱応力の検討
• ICパッケージ内シリコンチップ残留応力に及ぼすパッケージ構造の影響
• ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討
• ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
• (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
• 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
• シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
• マイクロスペックル干渉計による面内変位測定
• 103 めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
• エリアアレイ型フリップチップ実装構造 : バンプ接続部状態の非破壊検査システム(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
• マイクロスケールひずみセンサを用いた三次元フリップチップ実装構造内局所残留応力測定に関する研究(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
• 405 レーザー光応用非接触ひずみ計測法に関する基礎検討(材料力学1)
• 111 異種材料界面近傍における応力起因異方的原子拡散メカニズムの基礎検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
• 110 多層カーボンナノチューブ分散ゴムによる大変形ひずみ計測の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
• 1103 微細バンプレイアウトに依存した薄型シリコンチップ局所変形分布の発生(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 1101 三次元実装構造内シリコンチップの残留応力分布(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 1213 Ni耐熱合金の高温強度特性に及ぼす微量添加元素の影響(S05-3 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(3)ナノ・マイクロ材料の強度物性評価,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 1212 圧縮ひずみ負荷による多層CNTの変形挙動解析(S05-3 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(3)ナノ・マイクロ材料の強度物性評価,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 712 異方性導電樹脂を用いた実装構造における信頼性評価手法の検討
• 1201 めっき銅薄膜の疲労強度特性の熱履歴依存性(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• 140 微細貫通孔形成銅めっき膜による走行車両負荷振幅測定の検討(材料力学II)
• 139 めっき銅薄膜疲労強度の微細組織依存性(材料力学II)
• 113 薄膜配線用めっき銅薄膜電気機械特性の微細組織依存性(学生賞III)
• 1924 銅薄膜配線の微細組織と機械的特性評価(J16-3 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価(3),J16 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
• 142 Cuめっき薄膜配線の機械特性に及ぼすめっき条件の影響(材料力学IV)
• 102 めっき銅薄膜機械的特性の結晶構造依存性関する基礎的検討(材料力学I)
• 101 めっき銅薄膜内部の機械的特性分布に関する基礎的検討(材料力学I)
• 3951 電解めっき銅薄膜の微細組織と強度物性(S21-2 静的強度評価,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
• P58 Cu薄膜の機械特性変化支配因子の検討(薄膜,ポスター講演3)
• 1469 微細三角形貫通孔形成による銅メッキニ軸応力場測定の高感度化(S20-6 応力・ひずみ分布計測法(2),S20 実験力学的手法による材料・製品の評価)
• 612 正三角形貫通孔による二次元銅メッキ応力測定法の検討(GS-12 材料力学)
• 220 微細貫通スリット形成による銅メッキ膜応力測定法の感度向上(材料力学 IV,2.学術講演)
• 219 銅メッキ膜を用いた高感度二軸場応力測定方法の開発(材料力学 IV,2.学術講演)
• 微細スリットを形成した銅メッキ膜を用いた二軸応力場測定方法の検討(材料力学I-2)
• 微細スリット形成銅メッキ膜を用いた応力測定法の感度(S05-4 薄膜・微細構造物の機械特性評価,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
• 銅メッキ膜応力測定法における微細スリット形状の最適化(S05-4 薄膜・微細構造物の機械特性評価,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
• 211 銅メッキ膜応力測定法感度に及ぼす微細スリット構造の影響(材料力学II)
• Siの熱酸化プロセスにおける形状・応力解析プログラムOXSIM2Dの開発
• 107 応力依存異方原子拡散に基づくNi基耐熱合金の高温損傷(学生賞II)
• 2425 応力依存異方拡散現象による耐熱合金劣化損傷機構の検討(S13-3 高温材料・構造の強度と破壊(3),S13 高温材料・構造の強度と破壊)
• 1816 量子分子動力学による応力起因拡散現象の基礎検討(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
• 3961 分子動力学解析に基づくステンレス鋼の応力腐食割れ機構研究(S21-4 微細構造体の設計と解析,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
• 実験計画法を用いたボンディングワイヤループ形状適正化の検討(J01-4 最適構造設計,J01 エレクトロニクス実装における熱制御および信頼性評価)
• 201 半導体用高誘電率薄膜の絶縁特性のひずみ依存性(材料力学I,材料力学)
• 442 応力制御によるTiシリサイド配線構造の高信頼設計(OS01-5 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(5))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• 114 半導体デバイス内部の残留ひずみ分布マルチスケール計測(学生賞III)
• マイクロスケールストレインセンサを用いたトランジスタ残留応力の評価
• 1116 Sn-Ag-Bi-Cu系Pbフリーはんだの機械的性質と低サイクル疲労強度(OS-1 鉛フリ-はんだ)
• 123 繰り返し負荷による銅めっき膜中の結晶成長メカニズム(材料力学I)
• 115 めっき錫バンプと銅薄膜配線間金属間化合物の機械特性(学生賞III)
• 113 めっき銅薄膜強度物性のナノスケール微細組織依存性(学生賞III)
• 3955 Cuめっき薄膜配線の機械特性(S21-3 強度物性と信頼性,S21 ナノ・マイクロ構造体の強度物性と信頼性)
• 738 微小圧子押込法による弾性定数測定に及ぼす押込み深さの影響
• 348 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす電極膜真性応力の影響
• 315 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす残留応力の影響
• 819 ゲル中ワイヤの振動疲労評価手法の検討
• W05-(6) 電子実装設計におけるCAEの活用 : IT時代における機械工学の果たすべき役割(IT時代における機械工学の果たすべき役割 : 電子実装を中心として)(計算力学部門,材料力学部門,熱工学部門企画)
• 921 半導体パッケージ構造設計専用 CAE システムの開発
• 448 応力解析による強誘電体キャパシタの分極特性評価
• 196 半導体デバイス用ハフニウム酸化膜の絶縁信頼性に及ぼす点欠陥とひずみの相互作用に関する研究(学生賞III)
• 122 量子分子動力学解析に基づくHfO_2及びZrO_2バンドギャップに及ぼす結晶欠陥と格子ひずみの影響解明(学生賞III)
• 1403 量子分子動力学解析に基づくHfO_2バンドギャップに及ぼす結晶欠陥と格子ひずみの影響解明(OS-14A 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(第一原理計算),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
• 1815 高誘電率薄膜材料のバンドギャップに及ぼす結晶欠陥と格子ひずみの影響(J06-3 マイクロ・ナノ構造解析法と応用,J06 計算マイクロ・ナノメカニクス)
• 4329 積層フリップチップ実装構造チップ表面残留変形の検討(J05-3 実装信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
• 半導体三次元実装構造における層間断線検出法の検討(OS24b ナノ・マイクロ構造の強度信頼性解析)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク