ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
A stress sending Si chip utilizing the piezoresistive effect of Si single crystals has been developed. This chip can measure 3-dimensional stress components, σ_x, σ_y, σ_z and shear stress τ_<xy> in the chip surface. The stress sensitivity is 0.1 MPa in the range of -100 MPa to 100 MPa. Temperature sensors are arranged in the chip and they have linear response between -100℃ and 200℃. This chip is useful for the structural design and reliability tests of IC packages. The residual stress in a chip after the die bonding process is measured using this chip. It is found that rubber paste is useful in reducing stress in that process.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 1987-09-25
著者
-
西村 朝雄
(株)日立製作所機械研究所
-
三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
-
河合 末男
(株)日立製作所機械研究所
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体グループ
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体事業部
-
三浦 英生
東北大
-
西 邦彦
(株)日立製作所
-
西村 朝雄
日立
-
西村 朝雄
(株)日立製作所
関連論文
- 積層フリップチップ実装構造の残留応力低減構造に関する研究
- ピエゾ抵抗ひずみセンサを用いたフリップチップ実装構造内局所2軸残留応力分布の測定
- 1102 半導体デバイス特性の実装残留応力による変動評価(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- IC封止樹脂の新接着強度測定法
- 101 次世代半導体モジュールの局所変形と残留応力の測定(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- シリコン熱酸化過程における応力解析
- 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
- アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
- 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
- 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
- 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
- 637 半導体溝型素子分離構造における酸化プロセス誘起応力解析
- 104 Ni基超合金の高温損傷メカニズムの解明と耐熱特性向上法の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- ACF 等を用いた接触実装構造における接続信頼性影響因子の解明
- 111 レーザ素子を使用した動ひずみの遠隔計測に関する基礎検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
- High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高張力鋼溶接継手の疲労強度に及ぼすビード止端処理の効果
- 241 疲れ強さに及ぼすビード止端形状の影響
- 応力特異場パラメータを用いた半導体プラスチックパッケージの信頼性評価
- 112 めっき銅薄膜のエレクトロマイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 102 多層カーボンナノチューブ分散ゴムによる大変形計測の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- 1204 めっき錫バンプと銅薄膜配線間金属間化合物の機械特性(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 143 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学III)
- 203 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学I,材料力学)
- P57 クリープ劣化過程における一方向凝固Ni基超合金CM247LC材微視組織中の合金元素の偏析(OS13)
- P54 Ni基超合金の微視組織変化に基づく損傷評価(OS13)
- 204 熱遮へいコーティング/ボンドコーティング界面での酸化物成長に及ぼす応力の影響(OS6(1) コーティング部材の寿命管理・延伸)
- 305 Ni基超合金クリープ損傷の非破壊検査方法の提案(学生賞I)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
- はんだリフロー工程における半導体パッケージクラックに及ぼす熱応力の影響
- 被覆ワイヤボンディング技術の開発
- 吸湿による樹脂膨潤を考慮したICパッケージ接着界面のはく離発生評価
- パッケージング応力起因の半導体素子特性変動(先進材料と信頼性解析・評価)
- シリコン薄膜の結晶化応力に及ぼすリン(P)ドーピングの影響の検討
- 表面実装型IC樹脂封止パッケージの耐リフロークラック性評価装置の試作
- IC封止樹脂の接着強度測定とパッケージ接着界面のはく離発生予測
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第3報,素子接着剤層の影響
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の強度特性に及ぼす粒子形状と粒度の影響
- シリカ粒子充てんエポキシ樹脂の破壊じん性に及ぼす充てん材粒度分布の影響(信頼性工学小特集)
- 温度サイクル環境におけるICプラスチックパッケージ内のシリコンチップ熱応力の検討
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ熱応力の検討
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第2報,応力特異場理論による樹脂の強度評価
- ICパッケージ内シリコンチップ残留応力に及ぼすパッケージ構造の影響
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の強度特性
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究
- ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
- 105 YAGレーザによる接合同時切断技術の検討
- (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
- 半導体デバイスの応力測定を目的とした紫外レーザラマン応力測定装置の開発
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の破壊じん性測定法と破壊特性の検討
- 235 有機基板上の超音波フリップチップ接合特性 : 表面清浄化超音波ボンデイングに関する研究(第4報)
- シリカ粒子充てんエポキシ樹脂の強度特性に及ぼす粒子充てん量の影響と破壊メカニズムの検討
- 118 シングルポイントインナーリードボンディングにおける超音波周波数の影響
- 154 半田接合部の化合物形成に与えるAu濃度の影響
- 内圧円筒内面に存在する半だ円表面き裂の応力拡大係数
- 実物の車両構体による疲労試験 : 第2報,スポット溶接部の強度評価法に関する検討
- 103 めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- 電子デバイスの構造設計
- 樹脂封止形ICパッケージの熱抵抗の簡易解析法
- 面付実装形ICパッケージはんだ接合部の熱疲労強度評価 : 第2報, 3種類のリードの比較
- 面付実装形ICパッケージはんだ接合部の熱疲労強度評価
- 腐食疲労の許容応力に関する考察
- 13Cr系鋼の腐食環境下の低ΔK領域におけるき裂進展挙動
- 3%食塩水中の低ΔK領域の疲労き裂伝ぱに及ぼす応力比の影響
- 三次元曲面要素を用いた有限要素法による周期構造物の応力解析 : 第2報,非線形解析
- 締りばめ軸継手のねじり疲労強度
- 3%食塩水中のスリーブ付軸材の疲労強度
- 実物の車両構体による疲労試験 : 第1報, 試験方法とその精度
- 表面保護膜応力に起因したGaAs基板内の局所的分極電荷発生とトランジスタしきい電圧変動の解析
- Siの熱酸化プロセスにおける形状・応力解析プログラムOXSIM2Dの開発
- 分子動力学を応用した薄膜界面のはく離強度評価技術
- コバルトシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズム
- Pt膜におけるヒロック発生メカニズムの解明
- ニッケルシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズムの検討
- 60 Sn・40Pbはんだのひずみ速度を考慮した疲労き裂進展特性評価
- 半導体デバイスと材料力学
- レーザー光を応用した半導体素子内残留応力の非破壊測定
- 腐食疲労き裂伝ぱに及ぼす応力波形効果
- 3%食塩水中の疲労き裂伝ぱに及ぼす応力波形および繰返し速度の影響
- 3%食塩水中の疲労き裂伝ぱに及ぼす応力波形および繰返し速度の影響
- 疲労き裂の伝ぱ挙動に及ぼす平均応力および応力履歴の影響
- 100kg/mm^2級ステンレス鋳鋼の疲労強度
- 高い平均応力下の溶接継手の平面曲げ疲れ強さに及ぼすグラインダ仕上及びピーニングの効果
- 115 高い平均応力下の溶接継手の疲れ挙動について : 第2報 HT80の場合
- 216 高い平均応力下の溶接継手の疲れ挙動について
- 半導体デバイス製造における信頼性設計
- 薄膜の残留応力
- (19)ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用に関する研究