被覆ワイヤボンディング技術の開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Wire bonding technology is being applied to narrower pad piches and longer spans in LSI packages with the increase in number of input-output pins and shrinkage in chip size. This makes adjoining wires liable to touch during the molding process. To solve fundamentally this problem, the authors have been developing bonding technologies, using coated gold wires which do not suffer from short circuit failures even if the wire touch occurs. In this study, various coated wires were evaluated to select the optimum coating film with improved resistance to the wire touch at high tempratures and improved bonding continuity. Packages were then assembled with the selected wires, and various reliability tests were conducted. The best properties were obtained with the coating film of 0.4 μm thick heat-resistant formal, which showed high insulation reliability in a high temperature wire-crossing test and enabled continual bonding for more than one hundred thousand wire connections. It was confirmed that the assembled packages have sufficient insulation reliability between touching wires and that no failures occurred in various reliability tests including temperature cycling and high temperature high humidity bias tests.
- 社団法人溶接学会の論文
- 1998-11-05
著者
-
西村 朝雄
(株)日立製作所機械研究所
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体グループ
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体事業部
-
金田 剛
(株)日立マイコンシステム
-
渡辺 宏
(株)日立製作所
-
秋山 雪治
(株)日立製作所
-
坪崎 邦宏
(株)日立製作所
-
西 邦彦
(株)日立製作所
-
西村 朝雄
日立
-
坪崎 邦宏
(株)日立製作所半導体事業部
-
金田 剛
(株)日立マイコンシステム:(現)(株)日立超lsiシステムズ
-
渡辺 宏
(株)日立製作所半導体事業部
-
西村 朝雄
(株)日立製作所
関連論文
- IC封止樹脂の新接着強度測定法
- 応力特異場パラメータを用いた半導体プラスチックパッケージの信頼性評価
- 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
- はんだリフロー工程における半導体パッケージクラックに及ぼす熱応力の影響
- 被覆ワイヤボンディング技術の開発
- 吸湿による樹脂膨潤を考慮したICパッケージ接着界面のはく離発生評価
- パッケージング応力起因の半導体素子特性変動(先進材料と信頼性解析・評価)
- シリコン薄膜の結晶化応力に及ぼすリン(P)ドーピングの影響の検討
- 表面実装型IC樹脂封止パッケージの耐リフロークラック性評価装置の試作
- IC封止樹脂の接着強度測定とパッケージ接着界面のはく離発生予測
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第3報,素子接着剤層の影響
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の強度特性に及ぼす粒子形状と粒度の影響
- シリカ粒子充てんエポキシ樹脂の破壊じん性に及ぼす充てん材粒度分布の影響(信頼性工学小特集)
- 温度サイクル環境におけるICプラスチックパッケージ内のシリコンチップ熱応力の検討
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ熱応力の検討
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究 : 第2報,応力特異場理論による樹脂の強度評価
- ICパッケージ内シリコンチップ残留応力に及ぼすパッケージ構造の影響
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の強度特性
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討
- はんだリフロー工程で発生するICのパッケージクラックに関する研究
- ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
- 105 YAGレーザによる接合同時切断技術の検討
- C-3-73 2レンズ光学系を用いた10 Gbps/ch光インターコネクションI/Oモジュール(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- 半導体デバイスの応力測定を目的とした紫外レーザラマン応力測定装置の開発
- シリカ粒子高充てんエポキシ樹脂の破壊じん性測定法と破壊特性の検討
- Auめっきテープ基板を用いた超音波プリップチップ接合特性の検討
- 235 有機基板上の超音波フリップチップ接合特性 : 表面清浄化超音波ボンデイングに関する研究(第4報)
- シリカ粒子充てんエポキシ樹脂の強度特性に及ぼす粒子充てん量の影響と破壊メカニズムの検討
- 118 シングルポイントインナーリードボンディングにおける超音波周波数の影響
- 154 半田接合部の化合物形成に与えるAu濃度の影響
- 内圧円筒内面に存在する半だ円表面き裂の応力拡大係数
- C-3-83 高効率光結合を有する160Gbps小型光I/Oモジュール(光インターコネクション(1),C-3. 光エレクトロニクス,一般セッション)
- 接合雰囲気がAu, Cu, Al膜のAuボールボンディング特性に与える影響 : 表面清浄化超音波ボンディングに関する研究(第3報)
- Au, Cu, Al蒸着膜の表面清浄度とAuボールボンディング特性 : 表面清浄化超音波ボンディングに関する研究(第2報)
- 振動周波数70,130,172kHzの超音波ボールボンディング
- 149 Auめっきパッド/Auワイヤの高周波超音波ボンディング特性
- 313 高周波領域の超音波ボンディング特性
- SDP(Small Die Pad)構造プラスチックQFPの開発
- 表面を清浄化したAu膜の超音波ボールボンディング特性
- 150 Au, Cu及びAl膜のボンディング性に与える雰囲気の影響
- 三層積層ばりの熱粘弾性解析によるLSIプラスチックパッケージ内残留応力の予測
- BGA・CSPの表面処理技術
- Y_2O_3安定化ZrO_2の耐熱衝撃性に及ぼすAl_2O_3あるいはSiO_2添加の影響
- 希土類酸化物安定化ZrO_2の耐熱衝撃性
- 安定化ZrO_2系セラミックスのNa_2SO_4-NaCl溶融塩に対する安定性