半導体デバイスの応力測定を目的とした紫外レーザラマン応力測定装置の開発
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概要
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A microscopic Raman apparatus using an ultraviolet laser has been developed for measurement of stress in semiconductor devices. A minimum laser-spot diameter of 0.4μm is obtained at 300-nm wavelengh. This is half the size of the spot diameter obtained with a conventional Raman apparatus using a visible laser. Furthermore, coupled with the high-precision scanning system, we have succeeded to measure stress distributions with 0.05μm horizontal resolution. The penetration depth of the ultraviolet laser into silicon is about 0.07μm, which is a tenth of that of the visible laser. This enables to directly measure stress fields as thin as 0.1μm from the surface of the silicon substrates of semiconductor devices.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 1996-12-25
著者
-
西村 朝雄
(株)日立製作所機械研究所
-
三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
-
石塚 典男
(株)日立製作所機械研究所
-
熊沢 鉄雄
株式会社日立製作所
-
坂田 寛
(株)日立製作所機械研究所
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体グループ
-
西村 朝雄
(株)日立製作所半導体事業部
-
三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
-
熊沢 鉄雄
(株)日立製作所機械研究所
-
熊沢 鉄雄
株式会社日立製作所機械研究所
-
熊沢 鉄雄
(株)日立製作所
-
西村 朝雄
(株)日立製作所
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