(19)ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用に関する研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 一般社団法人日本機械学会の論文
• 1989-05-05

著者

• 三浦 英生

  (株)日立製作所機械研究所

• 三浦 英生

  東北大学大学院工学研究科

関連論文

• 積層フリップチップ実装構造の残留応力低減構造に関する研究
• ピエゾ抵抗ひずみセンサを用いたフリップチップ実装構造内局所2軸残留応力分布の測定
• (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
• ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
• 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
• 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
• 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
• 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
• 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
• シリコン熱酸化過程における応力解析
• 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
• アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
• 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
• 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
• 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
• 637 半導体溝型素子分離構造における酸化プロセス誘起応力解析
• 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
• High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 微細バンプ接合部の信頼性に及ぼす銅スズ金属間化合物の影響
• トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
• トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
• 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
• パッケージング応力起因の半導体素子特性変動(先進材料と信頼性解析・評価)
• シリコン薄膜の結晶化応力に及ぼすリン(P)ドーピングの影響の検討
• 温度サイクル環境におけるICプラスチックパッケージ内のシリコンチップ熱応力の検討
• ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ熱応力の検討
• ICパッケージ内シリコンチップ残留応力に及ぼすパッケージ構造の影響
• ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討
• ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
• (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
• 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
• シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
• 半導体デバイスの応力測定を目的とした紫外レーザラマン応力測定装置の開発
• エリアアレイ型フリップチップ実装構造 : バンプ接続部状態の非破壊検査システム(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
• マイクロスケールひずみセンサを用いた三次元フリップチップ実装構造内局所残留応力測定に関する研究(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
• 表面保護膜応力に起因したGaAs基板内の局所的分極電荷発生とトランジスタしきい電圧変動の解析
• Siの熱酸化プロセスにおける形状・応力解析プログラムOXSIM2Dの開発
• 分子動力学を応用した薄膜界面のはく離強度評価技術
• エレクトロマイグレーションによる銅配線の空孔移動におよぼす残留応力の影響
• 442 応力制御によるTiシリサイド配線構造の高信頼設計(OS01-5 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(5))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
• コバルトシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズム
• Pt膜におけるヒロック発生メカニズムの解明
• ニッケルシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズムの検討
• 921 半導体パッケージ構造設計専用 CAE システムの開発
• 448 応力解析による強誘電体キャパシタの分極特性評価
• 60 Sn・40Pbはんだのひずみ速度を考慮した疲労き裂進展特性評価
• 半導体デバイスと材料力学
• レーザー光を応用した半導体素子内残留応力の非破壊測定
• 局所熱残留変形計測を用いた三次元積層構造における微小バンプ接続信頼性の非破壊評価法(実装検査評価技術,高性能電子機器を支える次世代高密度実装技術と実装材料技術論文)
• 三次元フリップチップ実装構造における薄化チップの局所変形と残留応力(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
• 三次元フリップチップ実装構造における薄化チップの局所変形と残留応力(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術,テスト技術,一般)
• フリップチップ実装構造における微小バンプ接続部の非破壊検査法の提案(高密度・高性能パッケージ・モジュール技術,次世代電子機器における先端実装技術と電磁波ノイズ低減技術論文)
• ナノスケールの材料力学(研究展望)
• エレクトロニクス実装構造信頼性の分析・計測技術(鉛フリー化技術の実用段階における信頼性の諸問題)
• フリップ実装構造におけるSiチップ内の局所残留応力評価(SiP応力解析技術, 先端電子デバイス実装技術と解析・評価技術の最新動向論文)
• エレクトロニクス実装における検査・評価技術(信頼性解析技術基礎講座 第7回 最終回)
• 積層フリップチップ実装構造におけるSiチップ内局所残留応力分布の主要発現メカニズムの検討
• 半導体デバイス製造における信頼性設計
• 薄膜の残留応力
• (19)ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用に関する研究
• 構造解析に基づく電子パッケージ・モジュールの強度・信頼性評価(設計・解析技術,半導体パッケージ技術の最新動向)
• デジタル社会からアナログ社会への回帰
• OS0116 多層カーボンナノチューブ分散樹脂のひずみセンサへの適用可能性の基礎検討(OS01-04 画像処理・ひずみ,OS01 非破壊評価と構造モニタリング(2))
• パワーエレクトロニクス製品の実装信頼性評価技術の現状と課題
• めっき銅薄膜配線ストレスマイグレーション支配因子の解明(高密度実装を牽引する材料技術とヘテロインテグレーション論文)
• ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
• High Cycle Fatigue Properties of Mod.9Cr-1Mo Steel at Elevated Temperatures
• 銅めっき薄膜機械特性の微細組織依存性
• 半導体実装用めっき銅薄膜強度物性の微細組織依存性(次世代電子機器を支える三次元積層技術と先端実装の設計・評価技術論文)
• J031053 めっき銅薄膜配線のストレスマイグレーション支配因子の解明([J03105]電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(5))
• めっき銅薄膜配線ストレスマイグレーション支配因子の解明

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク