ACF 等を用いた接触実装構造における接続信頼性影響因子の解明
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ACF(異方性導電樹脂フィルム)等を用いたフリップチップ接合は, バンプ/電極間の導通と封止を1回の低温熱圧着で達成できるため, 低コストな狭ピッチ接続技術として有力視されている。本研究では, バンプ/電極間の接触導通部に着目した接触解析を実施し, 接続信頼性影響因子の検討を行った。その結果, 温度サイクル冷却時の金バンプの塑性ひずみ量を設計パラメータにすることで, 温度サイクル時の接続信頼性向上に有効な構造設計, 材料設計が可能であることを示した。また耐湿試験下では, ビルドアップ層材料のガラス転移温度の影響でバンプの接触応力が減少する可能性があるため, ビルドアップ層材料の適正化が重要であることを示した。
- 2002-09-01
著者
-
田中 直敬
株式会社日立製作所 機械研究所
-
田中 直敬
(株)日立製作所機械研究所
-
三浦 英生
日立機械研
-
三浦 英生
東北大
-
田中 直敬
日立機械研
-
河野 賢哉
株式会社日立製作所機械研究所
-
三浦 英生
株式会社日立製作所機械研究所
-
角 義之
株式会社日立製作所半導体グループ
-
吉田 育生
株式会社日立製作所半導体グループ
-
田中 直敬
株式会社日立製作所機械研究所
-
吉田 育生
株式会社日立製作所デバイス開発センタ
-
河野 賢哉
(株) 日立製作所
関連論文
- 積層フリップチップ実装構造の残留応力低減構造に関する研究
- 薄型伝送線リードを用いた43Gbit/s伝送対応半導体パッケージ(次世代電子機器における先端実装技術と環境調和型実装技術論文)
- イメージセンサチップ実装時の反り低減技術
- ピエゾ抵抗ひずみセンサを用いたフリップチップ実装構造内局所2軸残留応力分布の測定
- 1102 半導体デバイス特性の実装残留応力による変動評価(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(SiP (System in Package)技術,先端電子デバイスパッケージと高密度実装プロセス技術の最新動向論文)
- 常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- IC封止樹脂の新接着強度測定法
- 101 次世代半導体モジュールの局所変形と残留応力の測定(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- シリコン熱酸化過程における応力解析
- 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
- アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
- 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
- 413 半導体浅溝型素子分離構造の酸化誘起応力
- 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
- 637 半導体溝型素子分離構造における酸化プロセス誘起応力解析
- 30a-ZS-3 浅溝型素子分離構造における酸化誘起応力解析
- 104 Ni基超合金の高温損傷メカニズムの解明と耐熱特性向上法の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- ACF 等を用いた接触実装構造における接続信頼性影響因子の解明
- ダイボンディング用導電性接着剤のリフロー工程の破壊強度評価
- 111 レーザ素子を使用した動ひずみの遠隔計測に関する基礎検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
- High-k/Metal-gate界面健全性に及ぼす点欠陥と格子ひずみの相互作用の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 112 めっき銅薄膜のエレクトロマイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 102 多層カーボンナノチューブ分散ゴムによる大変形計測の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- 1204 めっき錫バンプと銅薄膜配線間金属間化合物の機械特性(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 143 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学III)
- 203 鉛フリーはんだ/めっき銅薄膜金属間化合物の機械的特性(材料力学I,材料力学)
- P57 クリープ劣化過程における一方向凝固Ni基超合金CM247LC材微視組織中の合金元素の偏析(OS13)
- P54 Ni基超合金の微視組織変化に基づく損傷評価(OS13)
- 204 熱遮へいコーティング/ボンドコーティング界面での酸化物成長に及ぼす応力の影響(OS6(1) コーティング部材の寿命管理・延伸)
- 305 Ni基超合金クリープ損傷の非破壊検査方法の提案(学生賞I)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- 半導体パッケージの構造設計CAEシステムの開発
- 吸湿による樹脂膨潤を考慮したICパッケージ接着界面のはく離発生評価
- IC封止樹脂の接着強度測定とパッケージ接着界面のはく離発生予測
- 温度サイクル環境におけるICプラスチックパッケージ内のシリコンチップ熱応力の検討
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ熱応力の検討
- ICパッケージ内シリコンチップ残留応力に及ぼすパッケージ構造の影響
- ICプラスチックパッケージ内シリコンチップ残留応力の検討
- ICプラスチックパッケージ内応力測定素子の開発とその応用
- 高信頼ファインピッチ BGA の構造設計
- 高信頼ファインピッチBGAの構造設計技術 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (CSP・BGA(2))
- (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
- 3D-SiP向けシリコン貫通電極技術
- 貫通電極形成歩留り改善技術の開発
- 製品の機能や形を革新する次世代実装技術 : シリコン貫通電極による三次元インターコネクト(創立110周年記念,つなぐ,つける,はめる)
- 接着接合による微細バンプ接続構造の信頼性評価(信頼性解析技術基礎講座第2回)
- 樹脂フィルムを用いた狭ピッチ対応フリップチップ接合の接続信頼性影響因子の検証
- 狭ピッチ対応フリップチップ接続用途の新材料システムの開発(技術OS3-5 最適構造設計,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- ウエハプロセスパッケージ搭載マルチチップモジュール高信頼化のための構造最適化
- 820 動的応力解析による狭ピッチワイヤボンディング接合部の接合性評価
- 樹脂製インターポーザーを使用したマルチチップモジュールの構造信頼性向上
- Fan-out タイプ CSP (Chip Scale Package) の構造信頼性設計
- 11. 電子デバイスにおける接着技術
- (8) IC パッケージ接着界面の定量的強度評価手法の開発
- Fan-outタイプCSP(Chip Scale Package)の構造信頼性設計 (MES'99 第9回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集) -- (シミュレーション・評価(2))
- マイクロスペックル干渉計による面内変位測定
- 103 めっき銅薄膜配線マイグレーション耐性の微細組織依存性(若手優秀講演フェロー賞対象講演(1))
- エリアアレイ型フリップチップ実装構造 : バンプ接続部状態の非破壊検査システム(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
- マイクロスケールひずみセンサを用いた三次元フリップチップ実装構造内局所残留応力測定に関する研究(電子機器の熱・機械信頼性と機械工学)
- 405 レーザー光応用非接触ひずみ計測法に関する基礎検討(材料力学1)
- 111 異種材料界面近傍における応力起因異方的原子拡散メカニズムの基礎検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 110 多層カーボンナノチューブ分散ゴムによる大変形ひずみ計測の検討(若手優秀講演フェロー賞対象講演(2))
- 1103 微細バンプレイアウトに依存した薄型シリコンチップ局所変形分布の発生(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 1101 三次元実装構造内シリコンチップの残留応力分布(J08-2 電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(2) 半導体・界面接合,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 1213 Ni耐熱合金の高温強度特性に及ぼす微量添加元素の影響(S05-3 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(3)ナノ・マイクロ材料の強度物性評価,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 1212 圧縮ひずみ負荷による多層CNTの変形挙動解析(S05-3 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(3)ナノ・マイクロ材料の強度物性評価,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 4326 ダイボンディング用銀ペースト材のリフロー工程の破壊強度評価(J05-2 接続信頼性,J05 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- ダイボンディング用Agペースト材の破壊強度評価手法の検討(技術OS3-2 微小材料強度評価,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 1824 動的応力解析によるワイヤ接合性評価手法の検討
- 712 異方性導電樹脂を用いた実装構造における信頼性評価手法の検討
- 1201 めっき銅薄膜の疲労強度特性の熱履歴依存性(S05-1 ナノ・マイクロ材料の強度・信頼性(1)銅薄膜の強度物性,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- 140 微細貫通孔形成銅めっき膜による走行車両負荷振幅測定の検討(材料力学II)
- 139 めっき銅薄膜疲労強度の微細組織依存性(材料力学II)
- 113 薄膜配線用めっき銅薄膜電気機械特性の微細組織依存性(学生賞III)
- 1924 銅薄膜配線の微細組織と機械的特性評価(J16-3 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価(3),J16 電子情報機器,電子デバイスの熱制御と強度・信頼性評価)
- 142 Cuめっき薄膜配線の機械特性に及ぼすめっき条件の影響(材料力学IV)
- 102 めっき銅薄膜機械的特性の結晶構造依存性関する基礎的検討(材料力学I)
- 101 めっき銅薄膜内部の機械的特性分布に関する基礎的検討(材料力学I)
- 実験計画法を用いたボンディングワイヤループ形状適正化の検討(J01-4 最適構造設計,J01 エレクトロニクス実装における熱制御および信頼性評価)
- 442 応力制御によるTiシリサイド配線構造の高信頼設計(OS01-5 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(5))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- 1116 Sn-Ag-Bi-Cu系Pbフリーはんだの機械的性質と低サイクル疲労強度(OS-1 鉛フリ-はんだ)
- 738 微小圧子押込法による弾性定数測定に及ぼす押込み深さの影響
- 348 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす電極膜真性応力の影響
- 315 トランジスタ絶縁膜耐圧特性に及ぼす残留応力の影響
- 819 ゲル中ワイヤの振動疲労評価手法の検討
- W05-(6) 電子実装設計におけるCAEの活用 : IT時代における機械工学の果たすべき役割(IT時代における機械工学の果たすべき役割 : 電子実装を中心として)(計算力学部門,材料力学部門,熱工学部門企画)
- 921 半導体パッケージ構造設計専用 CAE システムの開発
- 448 応力解析による強誘電体キャパシタの分極特性評価
- ダイボンディング用導電性接着剤のリフロー工程の破壊強度評価
- 接着接合による微細バンプ接続構造の信頼性評価(信頼性解析技術基礎講座第2回)