常温接続によるシリコン貫通電極チップ三次元化技術(不揮発メモリと関連技術及び一般)

概要

論文の詳細を見る
三次元化技術の代表的アプローチの一つが、シリコン貫通電極によるチップ積層技術である。三次元化におけるチップ間の接続長は、二次元で接続した場合より格段に短く、より早い伝送スピードをより低い消費電力で達成できるようになる。実用化における最大の障壁は、従来のワイヤ接続によるSiP技術に比較して製造コストが増大することである。そこで本研究では、製造コストの増加を大幅に抑え、従来技術以上にプロセスを簡素化できるシリコン貫通電極によるチップ積層技術を新たに考案した。その特徴は、高温加熱が必要な従来のメタラジカルな接続概念とは異なり、金バンプの機械的なかしめ作用を利用し、常温で押すだけで積層チップ間の電気的な接続を達成するものである。本稿では、考案したアイデアの原理検証実験を行い、多段積層のプロトタイプを試作することで、貫通電極を形成した薄層チップに対してかしめ接続による多段積層が可能であることを実証した。さらに、既存マイコンとSDRAMの積層製品に対して、本技術を適用した試作結果について述べる。
2008-03-07