新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(<小特集>ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)
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概要
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FETモードとバイポーラモードの中間で動作する,β(Bipolar Enhanced Transistor Action)MOSFETを作製した.ラテラルバイポーラトランジスタとは異なり,ペース電流がゲート電圧で自動的に制御されるため,デバイス動作電圧が-4ボルトまでと広く取れ,高性能なMOSFETとして回路的に扱うことができることが実証された.超薄膜トンネル障壁を含めたゲート-基板コンタクトを有する3種のデバイス構造について試作・評価した結果, pチャネルβ-MOSFETは従来のMOS構造と同一のしきい値電圧を保ったまま,ドレーン電流および相互コンダクタンスが最大で約4倍の特性が得られた.これは,ゲート長1.3μmのβ-MOSFETが,0.1μm p-MOSFET並みの優れた特性を示すことを示す.
- 1996-06-25
著者
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陽 完治
北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター
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陽 完治
北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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小泉 稜司
北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター
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橋本 直孝
(株)日立製作所半導体事業部
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