ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
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概要
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0.18um世代のロジックプロセスを開発した。ゲート長は0.14um、ゲート酸化膜厚は電気的に3.2nmである。本技術の特徴は量産性を十分に考慮した事である。 浅溝素子分離技術では、スケーリングにおける低応力化の指針を提示している。ソースドレイン形成にはコバルトシリサイドを用いているが、細線効果を抑えるためP+ インプラにBF2を用いた。BF2はゲート酸化膜へのボロン漏れを加速するため、ゲート酸化にはNO処理を施している。またデバイス特性の安定化にゲートポリシリコンのグレインサイズコントロールが重要であることを示し、アモルファスデポ後のRTA処理を導入した。配線はAl+SiOFとデュアルダマシン Cu を開発した。セルライブラリーの互換性を高めrためAl, Cu同一ルールで設計した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
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