池田 修二 | (株)日立製作所半導体事業部

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• (株)日立製作所半導体事業部の論文著者

関連著者

• 池田 修二

  (株)日立製作所半導体事業部

• 池田 修二

  (株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ

• 池田 修二

  日立製作所半導体事業部

• 三浦 英生

  (株)日立製作所機械研究所

• 三浦 英生

  東北大

• 斉藤 直人

  (株)日立製作所機械研究所

• 石塚 典男

  (株)日立製作所機械研究所

• 三浦 英生

  日立機械研

• 池田 修二

  (株)日立製作所半導体事業部プロセス技術開発部

• 三浦 英生

  東北大学大学院工学研究科

• 太田 裕之

  (株)日立製作所

• 橋本 ちえみ

  (株)日立超LSIシステムズ

• 吉田 安子

  (株)日立製作所半導体グループ

• 太田 裕之

  日立機械研究所

• 鈴木 範夫

  (株)日立製作所半導体グループ

• 鈴木 範夫

  (株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ

• 陽 完治

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 陽 完治

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 玉置 洋一

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 池田 隆英

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 小泉 稜司

  北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

• 橋本 直孝

  (株)日立製作所半導体事業部

もっと見る 閉じる

著作論文

• 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
• 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
• 半導体浅溝型素子分離(SGI)構造の酸化反応誘起応力の検討
• 応力緩和による半導体浅溝型素子分離構造の形状制御
• ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD-2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
• ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
• ED2000-129 / SDM2000-111 / ICD2000-65 量産性に優れた0.18um世代のロジックプロセス技術
• 新形高性能トランジスタ : β-MOSFET(ディープサブミクロンMOSトランジスタ技術小特集)

スポンサーリンク