太田 裕之 | (株)日立製作所
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概要
関連著者
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太田 裕之
(株)日立製作所
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太田 裕之
日立機械研究所
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太田 裕之
日立機械研
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三浦 英生
東北大
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三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
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島津 ひろみ
日立機械研
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島津 ひろみ
日立・機械研
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島津 ひろみ
(株)日立製作所機械研究所
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丹野 洋平
日立機械研
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三浦 英生
日立機械研
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
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泉 聡志
東京大学大学院工学系研究科
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斉藤 直人
(株)日立製作所機械研究所
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岡本 紀明
(株)日立製作所機械研究所
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太田 裕之
株式会社日立製作所機械研究所
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熊谷 幸博
日立機械研
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太田 裕之
日立・機械研
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丹野 洋平
日立・機械研
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北野 誠
(株)日立製作所機械研究所
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北野 誠
株式会社日立製作所機械研究所
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北野 誠
(株)日立製作所
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北野 誠
日立機械研
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北野 誠
日立製作所
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太田 裕之
株式会社日立製作所
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苗村 健
東京大学大学院情報理工学系研究科
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
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清水 昭博
(株)ルネサステクノロジ
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前川 径一
(株)ルネサステクノロジ
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岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
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酒井 信介
東大工
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泉 聡志
東大工
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飯田 誠
東京大学大学院工学系研究科
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苗村 健
東京大学大学院 情報理工学系研究科 電子情報学専攻
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岩崎 富生
(株)日立製作所
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三宅 威生
日立AS
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苗村 健
東京大学大学院 情報理工学系研究科
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秋庭 義明
名古屋大学工学研究科
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田中 啓介
名古屋大学工学研究科
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飯田 誠
東京大学大学院学際情報学府
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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金 廷〓
東京大学大学院情報理工学系研究科
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熊谷 幸博
(株)日立製作所
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蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
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伊藤 登史政
(株)デンソー
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橋本 ちえみ
(株)日立超LSIシステムズ
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池田 修二
(株)日立製作所半導体事業部
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池田 修二
日立製作所半導体事業部
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池田 修二
(株)日立製作所半導体グループ:(現)トレセンティテクノロジーズ
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秋庭 義明
名古屋大学大学院工学研究科
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岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
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金 ジョンヒョン
東京大学大学院情報理工学系研究科
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田中 啓介
名古屋大学
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伊藤 登史政
デンソー(株)
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苗村 健
東京大学大学院学際情報学府
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秋庭 義明
名古屋大学
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金 ジョンヒョン
東京大学
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酒井 信介
東京大学大学院工学系研究科
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町田 隆志
(株)日立製作所日立研究所
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宮田 寛
(株)日立製作所日立研究所
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高田 龍二
日立建機(株)技術開発センター
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江田 弘
茨城大学
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高田 英明
東京大学大学院情報理工学系研究科
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天野 翔
東京大学大学院情報理工学系研究科
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前川 径一
ルネサステクノロジ
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下平 貴之
日立建機
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清水 昭博
日立超LSIシステムズ
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澄川 貴志
京都大学大学院工学研究科
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丹野 洋平
(株)日立製作所機械研究所
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河野 竜治
株式会社日立製作所機械研究所
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金丸 昌敏
株式会社日立製作所機械研究所
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清水 浩也
株式会社日立製作所機械研究所
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宮武 俊雄
株式会社日立製作所機械研究所
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伴 直人
株式会社日立製作所半導体グループ
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玉置 洋一
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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池田 隆英
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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飯島 晋平
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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石塚 典男
(株)日立製作所機械研究所
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加賀 徹
(株)日立製作所中央研究所
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本田 将之
茨城大院
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周 立波
茨城大
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清水 淳
茨城大
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町田 隆志
日立製作所機械研
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澄川 貴志
京都大学大学院
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坂田 信二
(株)日立製作所機械研究所
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中門 公明
(株)日立製作所機械研究所
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坂田 信二
(株)日立製作所 機械研究所
-
坂田 信二
(株)日立製作所
-
坂田 寛
(株)日立製作所機械研究所
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増田 弘生
(株)日立製作所デバイス開発センタ
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池川 昌弘
(株)日立製作所
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清水 翼
(株)日立製作所 機械研究所
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河野 竜治
日立製作所 機械研究所
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飯田 誠
東京大学教養学部
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磯前 誠一
(株)日立製作所 中央研究所
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小林 尚司
東大院:(現)新日鉄ソリューソンズ
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宮田 寛
弘前大 理工
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江田 弘
茨城大
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清水 翼
(株)日立製作所
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三宅 威生
(株)日立製作所オートモーティブシステムグループ
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三宅 威生
東大院(現)日立
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高田 龍二
日立建機
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磯前 誠一
日立製作所中央研究所
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本田 将之
茨城大学理工学研究科
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加賀 徹
日立製作所 中央研究所
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金丸 昌敏
日立 機械研
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金丸 昌敏
(株)日立製作所 機械研究所
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伴 直人
日立
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清水 浩也
株式会社日立製作所機械研究所第3部
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宮武 俊雄
日立 機械研
-
金 廷〓
東京大学大学院
-
太田 裕之
(株)日立製作所機械研究所
-
泉 聡志
東京大学大学院 工学系研究科
-
酒井 信介
東京大学大学院 工学系研究科
著作論文
- 1310 半導体ひずみセンサを応用したピン型ロードセルの開発(J14-2 知的材料・構造システム(2) 計測・モニタリングI,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- Log-Logにおけるセンシング手法とコンテンツ
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- Strinoインタフェース化技術の無線化と安定化(マルチメディア仮想環境基礎,及び一般,HCGシンポジウム)
- ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
- MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 熱サイクルを受けた多結晶Cu薄膜の残留応力と微視的損傷
- 熱サイクルを受ける銅薄膜中の内部応力の放射光によるその場測定(X線材料強度)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
- 2512 高感度ひずみセンサによるひずみモニタリング(J10-3 計測・モニタリング・解析(3),J10 知的材料・構造システム)
- 第 1 部 (5) 半導体デバイスにおける表面処理と強度信頼性
- Siマイクロマシニング技術を応用したLSl検査プローブ
- 機械系センサネット用低消費電力半導体ひずみセンサの開発
- 3207 半導体ひずみセンサによる2軸ひずみ場の計測(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3206 半導体ひずみセンサによる回転体のひずみモニタリング(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3205 ひずみセンサの感度に関する考察(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 特異場理論を応用した半導体デバイス無転位設計手法の検討
- Ta_2O_5薄膜の結晶化に伴う機械的性質の変化
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案 : 転位発生限界値のデバイス構造依存性
- シリコン基板内応力特異場における転位発生強度の酸素濃度依存性
- 球圧子を用いたシリコン基板の転位発生強度評価法
- 半導体デバイスにおけるシリコン基板転位発生予測手法の提案
- 薄膜の内部応力を考慮したトランジスタ構造の応力解析方法の検討
- シリコン熱酸化過程における応力解析
- 表面に浅溝構造を有するシリコン基板の選択酸化後残留応力評価
- アモルファスシリコン薄膜における結晶化誘起応力の検討
- 2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
- 炭化けい素の静疲労強度に及ぼす温度の影響
- 熱酸化プロセスにおけるシリコン基板残留応力の検討
- デジタルパブリックアートのための磁石を用いた簡便なひずみ計測に関する実験的検討
- Siの熱酸化プロセスにおける形状・応力解析プログラムOXSIM2Dの開発
- 1421 実時間スケールでの薄膜起因応力場におけるシリコン転位動力学解析(OS-14F 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(DD,QC),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 転位動力学シミュレーションのSTI半導体構造への応用
- SiN薄膜真性応力起因のシリコンの転位運動に対する実験と転位動力学シミュレーション(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- STI構造に対する三次元転位動力学シミュレーションの適用(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発