熊谷 幸博 | 日立機械研
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概要
関連著者
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熊谷 幸博
日立機械研
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科
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太田 裕之
(株)日立製作所
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太田 裕之
日立機械研
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太田 裕之
日立機械研究所
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三浦 英生
東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター
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清水 昭博
(株)ルネサステクノロジ
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熊谷 幸博
(株)日立製作所
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前川 径一
(株)ルネサステクノロジ
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三浦 英生
日立機械研
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蒲原 史朗
ルネサステクノロジ
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蒲原 史朗
(株)ルネサステクノロジ
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三浦 英生
東北大
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前川 径一
ルネサステクノロジ
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島津 ひろみ
日立機械研
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清水 昭博
日立超LSIシステムズ
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島津 ひろみ
日立・機械研
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島津 ひろみ
(株)日立製作所機械研究所
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三浦 英生
(株)日立製作所機械研究所
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奈須 真吾
日立機械研
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松井 裕一
(株)日立製作所中央研究所
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大崎 明彦
ルネサステクノロジ
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藤澤 雅彦
ルネサステクノロジ
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岩本 猛
ルネサステクノロジ
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島津 ひろみ
日立 機械研
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松井 裕一
(株)日立製作所 中央研究所
著作論文
- (4)ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発(論文,日本機械学会賞〔2007年度(平成19年度)審査経過報告〕)
- ディープサブミクロンMOSFETの応力起因ドレイン電流変動評価手法の開発
- MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- 301 Si チャネル MOS トランジスタのドレイン電流特性に及ぼす応力の影響
- J0103-1-3 温度サイクル試験におけるチップコーナーのLow-k膜はく離防止のための評価手法の開発(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- Pt膜におけるヒロック発生メカニズムの解明
- 448 応力解析による強誘電体キャパシタの分極特性評価