MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)

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概要

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• 社団法人日本機械学会の論文
• 2004-07-20

著者

• 太田 裕之

  (株)日立製作所

• 太田 裕之

  日立機械研

• 前川 径一

  (株)ルネサステクノロジ

• 熊谷 幸博

  日立機械研

• 前川 径一

  ルネサステクノロジ

• 太田 裕之

  日立機械研究所

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