J0103-1-3 温度サイクル試験におけるチップコーナーのLow-k膜はく離防止のための評価手法の開発(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
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概要
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Delamination failure of a low-k interlayer dielectric (ILD) layer of Cu/low-k multi-layer interconnects during a thermal cycle test was investigated by mechanical stress simulation. A 3D zooming analysis was used to analyze the stress that occurred in a fine-scale film stack in a large-scale package. The maximum stress occurred at the low-k/cap film interface that was bottom surface of the low-k ILD layer. The interface agreed well with the delaminated interface. And it was able to explain the yield of the sample with different structure by the stress. This method is useful for reducing delamination failure.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2009-09-12
著者
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