太田 裕之 | 日立機械研

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概要

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• 太田 裕之

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• 太田 裕之

  (株)日立製作所

• 太田 裕之

  日立機械研究所

• 島津 ひろみ

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• 丹野 洋平

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• 太田 裕之

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• 澄川 貴志

  京都大学大学院工学研究科

• 熊谷 幸博

  日立機械研

• 丹野 洋平

  日立・機械研

• 澄川 貴志

  日立機械研

• 泉 聡志

  東京大学大学院工学系研究科

• 酒井 信介

  東大工

• 泉 聡志

  東大工

• 江田 弘

  茨城大学

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所機械研究所

• 本田 将之

  茨城大院

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所 機械研究所

• 岩崎 富生

  (株)日立製作所

• 三宅 威生

  日立AS

• 本田 将之

  茨城大学理工学研究科

• 三浦 英生

  東北大学大学院工学研究科エネルギー安全科学国際研究センター

• 清水 昭博

  (株)ルネサステクノロジ

• 高田 龍二

  日立建機(株)技術開発センター

• 前川 径一

  (株)ルネサステクノロジ

• 前川 径一

  ルネサステクノロジ

• 下平 貴之

  日立建機

• 清水 昭博

  日立超LSIシステムズ

• 丹野 洋平

  (株)日立製作所機械研究所

• 岩崎 富生

  日立・機械研

• 石川 憲輔

  日立・マイクロデバイス

• 大島 隆文

  日立・マイクロデバイス

• 奈須 真吾

  日立機械研

• 周 立波

  茨城大

• 清水 淳

  茨城大

• 周 立波

  茨城大学

• 清水 淳

  茨城大学

• 三浦 英生

  日立機械研

• 澄川 貴志

  京都大学大学院

• 大島 隆文

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 大崎 明彦

  ルネサステクノロジ

• 藤澤 雅彦

  ルネサステクノロジ

• 岩本 猛

  ルネサステクノロジ

• 石川 憲輔

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 三浦 英生

  東北大学大学院工学研究科

• 三浦 英生

  東北大

• 小林 尚司

  東大院:(現)新日鉄ソリューソンズ

• 江田 弘

  茨城大

• 三宅 威生

  東大院(現)日立

• 高田 龍二

  日立建機

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著作論文

• 1310 半導体ひずみセンサを応用したピン型ロードセルの開発(J14-2 知的材料・構造システム(2) 計測・モニタリングI,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
• MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
• 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
• ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
• 2512 高感度ひずみセンサによるひずみモニタリング(J10-3 計測・モニタリング・解析(3),J10 知的材料・構造システム)
• 機械系センサネット用低消費電力半導体ひずみセンサの開発
• 3207 半導体ひずみセンサによる2軸ひずみ場の計測(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
• 3206 半導体ひずみセンサによる回転体のひずみモニタリング(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
• 3205 ひずみセンサの感度に関する考察(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
• 半導体ひずみセンサを用いたひずみ検知マテリアル(J09-1 モニタリング,J09 知的材料・構造システム)
• 銅配線構造における応力誘起ボイドに関する検討(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
• 半導体ひずみセンサによるボルト軸力モニタリング(OS1-4 機器・金属,OS1 構造ヘルスモニタリング)
• 710 引張試験によるスパッタ銅薄膜の機械強度評価(薄膜の創成と特性評価,一般セッション,第53期学術講演会)
• 742 銅薄膜の物性に及ぼす熱処理の影響
• 301 Si チャネル MOS トランジスタのドレイン電流特性に及ぼす応力の影響
• 2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
• Siウエハの研削加工ダメージの評価に関する研究
• J0103-1-3 温度サイクル試験におけるチップコーナーのLow-k膜はく離防止のための評価手法の開発(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
• 1421 実時間スケールでの薄膜起因応力場におけるシリコン転位動力学解析(OS-14F 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(DD,QC),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
• SiN薄膜真性応力起因のシリコンの転位運動に対する実験と転位動力学シミュレーション(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
• STI構造に対する三次元転位動力学シミュレーションの適用(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
• 長距離ワイヤレス伝送を実現する歪みセンサモジュール

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