2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
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概要
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High integration of semiconductor devices requires not only a very good surface integrity in terms of surface, flatness and etc., but also damage free at subsurface of the machined silicon wafers. Little is understood regarding to the mechanism of residual stress, strain and dislocation generated at the grinding process with different conditions. In this report, the single crystal silicon {111} plane were analyzed by use of PSPC (Position Sensitive Proportional Counter) for X-ray diffraction, and the results were discussed to investigate the effects of grinding process on different orientation of Silicon.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2002-09-20
著者
-
太田 裕之
(株)日立製作所
-
太田 裕之
日立機械研
-
江田 弘
茨城大学
-
本田 将之
茨城大院
-
周 立波
茨城大
-
清水 淳
茨城大
-
太田 裕之
日立機械研究所
-
江田 弘
茨城大
-
本田 将之
茨城大学理工学研究科
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