銅配線構造における応力誘起ボイドに関する検討(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
We studied stress-induced voiding under via-holes in copper-interconnect structures. The internal stress developed in copper interconnects was analyzed by using a finite-element method. The intrinsic stress of the construction materials was measured to analyze the internal stress. We investigated the relationship between the analyzed copper-line stress under the via-hole and the increase in resistance of copper-interconnect-structure test samples. By comparing the results, it was found that the increase in resistance due to the growth of stress-induced voids increased with the increase in the copper-line stress and the stress gradient. Therefore, the decrease in the copper-line stress and the stress gradient was important in suppressing stress-induced voiding.
- 社団法人日本機械学会の論文
- 2004-09-04
著者
-
太田 裕之
日立機械研
-
島津 ひろみ
日立機械研
-
岩崎 富生
(株)日立製作所機械研究所
-
太田 裕之
日立・機械研
-
島津 ひろみ
日立・機械研
-
島津 ひろみ
(株)日立製作所機械研究所
-
岩崎 富生
日立・機械研
-
石川 憲輔
日立・マイクロデバイス
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
石川 憲輔
(株)日立製作所マイクロデバイス事業部
-
岩崎 富生
(株)日立製作所 機械研究所
-
岩崎 富生
(株)日立製作所
関連論文
- 1310 半導体ひずみセンサを応用したピン型ロードセルの開発(J14-2 知的材料・構造システム(2) 計測・モニタリングI,ジョイントセッション,21世紀地球環境革命の機械工学:人・マイクロナノ・エネルギー・環境)
- MOSFETドレイン電流の半導体浅溝素子分離(STI)構造起因応力によるレイアウト依存性(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 739 0.13μm ノード MOS トランジスタのドレイン電流に及ぼす応力の影響
- ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
- 2512 高感度ひずみセンサによるひずみモニタリング(J10-3 計測・モニタリング・解析(3),J10 知的材料・構造システム)
- 第 1 部 (5) 半導体デバイスにおける表面処理と強度信頼性
- 機械系センサネット用低消費電力半導体ひずみセンサの開発
- 3207 半導体ひずみセンサによる2軸ひずみ場の計測(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3206 半導体ひずみセンサによる回転体のひずみモニタリング(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 3205 ひずみセンサの感度に関する考察(J06-2 計測・モニタリングI,J06 知的材料・構造システム)
- 半導体ひずみセンサを用いたひずみ検知マテリアル(J09-1 モニタリング,J09 知的材料・構造システム)
- 銅配線構造における応力誘起ボイドに関する検討(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- 半導体ひずみセンサによるボルト軸力モニタリング(OS1-4 機器・金属,OS1 構造ヘルスモニタリング)
- 710 引張試験によるスパッタ銅薄膜の機械強度評価(薄膜の創成と特性評価,一般セッション,第53期学術講演会)
- 742 銅薄膜の物性に及ぼす熱処理の影響
- 301 Si チャネル MOS トランジスタのドレイン電流特性に及ぼす応力の影響
- 2812 X 線回折を用いたシリコンウエハの研削ダメージ評価法の検討
- Siウエハの研削加工ダメージの評価に関する研究
- Cu配線のストレスマイグレーションによるVia劣化とその対策
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD-2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 有機SOG(k=2.9)を用いた0.18μm CMOS用の0.5μmピッチCuデュアルダマシン配線
- 階層化ワードドライバと位相シフト昇圧回路を用いた512kB 60MHzエンベデッドフラッシュメモリ
- 32ビットRISCマイクロコントローラに内蔵する3.3V90MHzフラッシュモジュール
- 樹脂モールド構造内部における界面接着強度の予測への原子レベルモデリングの適用
- 砥粒フリー研磨剤を用いたCu-CMP技術( : 低誘電率層間膜及び配線技術)
- 酸素添加GeSbTe相変化メモリセルの研究(新型不揮発性メモリ)
- J0103-1-3 温度サイクル試験におけるチップコーナーのLow-k膜はく離防止のための評価手法の開発(電子情報機器,電子デバイスの強度・信頼性評価と熱制御(1))
- J0402-2-6 原子シミュレーションによる樹脂モールド構造の接着界面強度評価(締結・接合部の力学・プロセスと信頼性評価(2))
- ED2000-135 / SDM2000-117 / ICD2000-71 低誘電率層間材料を用いたCuデュアルダマシン配線技術
- 樹脂と無機材料の密着性を予測する分子シミュレーション
- ナノテクデバイスにおける薄膜材料の接合(創立110周年記念,つなぐ,つける,はめる)
- トライボロジー分野における数値シミュレーション技術の動向
- 現象論的計算によるFe-Pt2元系FePt_3及びFePt規則相平衡状態図の評価
- 五酸化タンタル界面層の形成による相変化メモリの書換えの低電力化(不揮発性メモリ及び関連プロセス一般)
- 405 材料の機械特性のマルチスケールシミュレーション(計算力学と数値シミュレーション)
- 自己整合メタルキャップによるCu配線完全被覆化技術の検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ナノ加工を支える分子シミュレーション
- ナノスケール薄膜界面の剥離強度計算技術と測定技術(数値計算と現実)
- MOSトランジスタのゲートリーク電流特性に対するひずみ効果の第一原理解析(オーガナイズドセッション,計算力学とその応用)
- 低圧W-CVDを用いたCu配線の自己整合メタルキャップ技術(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 737 第一原理計算による SiON ゲート絶縁膜を用いた MOS トランジスタにおけるリーク電流のひずみ依存性解析
- 3次元実装を支える薄膜はく離強度解析・評価技術
- (5)分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- 分子動力学法を用いたSi薄膜真性応力と微細構造の解析
- シリコン結晶のラマン振動数に対する応力効果の分子動力学解析
- 不活性冷媒中での銅の腐食挙動
- 分子動力学を応用した薄膜界面のはく離強度評価技術
- 摩擦界面における原子スケール変形・破壊挙動の分子動力学解析
- 粒界グルービングの分子動力学による解析
- 分子動力学法を用いたナノ結晶アルミニウムの引張変形解析
- 薄膜を有する金属面における摩擦,摩耗現象の分子動力学シミュレーション
- 分子動力学法を用いたアルミニウム双結晶のせん断変形シミュレーション
- アルミニウム結晶中の熱活性による粒界すべり-粒界移動の分子動力学シミュレーション
- 動摩擦現象の分子動力学シミュレーション : α-Fe表面間にソフトコアポテンシャルを仮定した場合
- ゆらぎを無視した近似解析および分子動力学による鉄単結晶引張破壊の解析
- 28a-ZN-9 ゆらぎを無視した近似および分子動力学を用いた破壊解析
- 温度を考慮した鉄単結晶変形の分子動力学シミュレーション
- 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成
- 光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
- Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
- 1421 実時間スケールでの薄膜起因応力場におけるシリコン転位動力学解析(OS-14F 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価(DD,QC),OS-14 電子・原子・マルチスケールシミュレーションに基づく材料特性評価)
- 442 応力制御によるTiシリサイド配線構造の高信頼設計(OS01-5 電子デバイス実装・電子材料と計算力学(5))(OS01 電子デバイス実装・電子材料と計算力学)
- コバルトシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズム
- Pt膜におけるヒロック発生メカニズムの解明
- ニッケルシリサイド薄膜形成過程における応力発生メカニズムの検討
- 403 分子動力学シミュレーションによる金属/ポリマー界面の密着性解析(計算力学と数値シミュレーション)
- SiN薄膜真性応力起因のシリコンの転位運動に対する実験と転位動力学シミュレーション(S05-5 ナノ・マイクロ構造体の信頼性,S05 薄膜の強度物性と信頼性)
- STI構造に対する三次元転位動力学シミュレーションの適用(技術OS3-1 半導体デバイス,技術OS3 電子・情報機器と材料力学)
- 長距離ワイヤレス伝送を実現する歪みセンサモジュール
- 銅配線における応力誘起ボイドの成長メカニズムと抑制手法の研究
- J0403-1-4 樹脂モールド構造におけるセラミックスと樹脂間の接着界面強度評価([J0403-1]締結・接合部の力学と評価(1):接着接合)
- Si/SiO_2系における原子間力を再現するポテンシャルの開発
- 224 分子動力学シミュレーションによる樹脂材料界面の密着性解析(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(7),オーガナイズドセッション)
- ??.接着の物理(9)樹脂モールド構造における内部界面強度評価
- 114 微小カンチレバー試験片を用いた20nm厚Cu薄膜の弾塑性変形特性評価(変形,一般セッション)
- 樹脂と金属の界面における接着強度評価 (特集 密着性の科学と技術)
- 分子動力学シミュレーションを用いたナノコンポジット材料の粒子分散メカニズムの検討
- ニッケル元素添加による高耐熱コバルトシリサイドの開発
- 樹脂と金属の界面における接着強度評価
- J111013 樹脂モールド構造における金属の表面粗さによる内部界面の接着強度評価([J11101]マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
- (9)樹脂モールド構造における内部界面強度評価
- (5)樹脂モールド構造内部における界面接着強度の予測への原子レベルモデリングの適用(論文,日本機械学会賞〔2013年度(平成25年度)審査経過報告〕)