光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
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概要
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水銀増感光CVD法と原子状水素処理により、酸化膜でパターニングされたSi(100)基板上に基板温度200℃以下という低温でのSiの選択エピタキシャル成長に成功した。低温成長では、Si基板上にはエピタキシャル成長が実現し、一方、SiO_2上には非晶質Si(a-Si)が堆積する。また、水銀増感法により生成された原子状水素は、Siエピタキシャル膜にはダメージを与えることなく、a-Si膜だけを選択的にエッチングすることができる。本方法では、φ=1.5μmの微小領域でも選択成長が可能である。さらに、電子濃度1×10^21>cm^-3>というPの高濃度ドーピングした膜の選択成長にも成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-24
著者
-
山田 明
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
大島 隆文
日立・マイクロデバイス
-
小長井 誠
東京工業大学大学院理工学研究科電子物理工学専攻
-
大島 隆文
(株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部
-
南方 浩志
(株)富士通研究所
-
小長井 誠
東工大
-
大島 隆文
東京工業大学工学部
-
南方 浩志
東京工業大学工学部
-
小長井 誠
東京工業大学
-
山田 明
東京工業大学
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