3-5族混晶半導体の物性制御 (半導体-1-<〔応用物理〕創刊50周年記念特集号>) -- (半導体物理の最近のトピックス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 応用物理学会の論文

著者

• 高橋 清

  東京理科大学工学部

• 小長井 誠

  東工大

• 高橋 清

  東工大工

• 小長井 誠

  東京工業大学

関連論文

• Si系薄膜太陽電池の現状と課題
• 薄膜シリコン系太陽電池の展望
• Magnetic Imaging by RT-SHPM using GaAs/AlGaAs and Bi- Micro-Hall Probes
• 薄膜シリコン太陽電池の高効率化技術
• 太陽電池開発の現状と将来展望
• 太陽光発電の現状と将来展望
• 最近の太陽電池技術の動向
• 高性能太陽電池の将来展望
• CT-1-3 バルクならびに薄膜シリコン太陽電池開発の新展開(CT-1. サスティナブル社会のための先端デバイス・材料とプロセス技術の現在と未来,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• シリコン太陽電池の将来ビジョン
• 非晶質と微結晶
• シリコン系次世代太陽電池
• 次世代への贈り物 -クリーンなエネルギー:太陽光を用いた発電システム-
• 太陽電池の夢を追って
• 低温形成Siエピタキシャル膜におけるBの不活性化現象とその抑制
• MBE法によるIn_2Se_3自然超格子の構造制御と光学的特性
• カルコパイライト系新型薄膜太陽電池
• 30a-F-4 スパッターa-Si,GDa-Si:H,GDa-Si:H,Fにおける光検波ESR
• 蛍光表示板の光学特性に関する研究(ビーズ状サンプル)
• 光CVD法による低温Siエピタキシャル成長における高濃度ドーピング及び接合の形成
• 光CVD法によるSi薄膜の低温選択エピタキシャル成長
• Siの低温エピタキシャル成長におけるSiH_2Cl_2添加効果
• 3-5族化合物半導体における高濃度ド-ピング (半導体デバイスにおけるコンタクト材料)
• GaAs のエピタキシャル成長と表面(表面と化学反応)
• 教育・研究における国際協力 (世界に羽ばたく日本の電気技術)
• 超薄膜とエレクトロニクス (超薄膜)
• Stringfellow教授(Plenary Session)(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• 募金委員会より(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• 高性能電子デバイスの研究 : 超高速エレクトロニクス研究棟を訪ねて(精密工学の最前線)
• インテリジェントマテリアルへのアプローチ : II. 機能性材料
• 太陽電池
• ニューメディアと半導体センサ
• 光センサ
• 3-5族混晶半導体の物性制御 (半導体-1-) -- (半導体物理の最近のトピックス)
• 太陽光発電に賭ける夢--アモルファスSiと化合物半導体太陽電池はどこまで進んだか
• アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
• 活発に進むセンサ・エレクトロニクス (フュ-チャ-・エレクトロニクス--これからのエレクトロニクス技術を展望する)
• アモルファス材料の技術革新--歴史と歩み
• センサ・エレクトロニクス-後-
• センサ・エレクトロニクス-前-
• 化合物半導体太陽電池 (太陽電池の開発とその応用)
• 「応用物理」国際化の流れ -編集長を退任するにあたってー
• 光センサ (最近の電子計測特集) -- (センサ)
• 光励起による半導体プロセス技術
• 太陽電池材料--薄膜系 (特集 太陽光発電技術)
• ラマン散乱分光法によるZnSe-ZnTe短周期超格子の構造評価 (超薄膜)
• ポリアセチレン薄膜の電気的性質と太陽電池への応用
• 薄膜結晶の成長技術--1原子層ごとのコントロ-ル
• MBE法によるInSe/GaSe/GaAs(001)ヘテロ構造の作製 : 層状化合物半導体を用いた擬量子細線の作製に向けて
• Ga_2Se_3における空孔の規則配列と光学異方性
• 新概念高性能太陽電池の展開 : 第3世代太陽電池開発の現状(太陽電池開発の将来展望)
• 海外における太陽光発電技術の開発状況(太陽光発電の動向)
• 海外における太陽光発電技術の開発状況
• 高濃度ド-プ-理論と現状-
• 最先端の太陽電池
• 太陽光発電の可能性-2-太陽電池技術開発の現状および将来展望
• 太陽電池の現状と課題
• MOVPE Doping(ICVGE-7(第7回気相成長・エピタキシー国際会議))
• アモルファス太陽電池の高効率・高信頼化
• 太陽光発電の現状と展望 (地球環境と応用物理特集号) -- (地球環境技術の展望)
• MOMBEによるメタリックp型GaAsの成長と評価
• MOMBE,ガスソ-スMBEの開発動向
• 太陽電池 : 太陽エネルギーを電気に変換する電池(新しい電池)(最近の電池)
• 光励起プロセス研究会
• H.Kressel偏, Characterization of Epitaxial Semiconductor Films, Elsevier, Amsterdam and Oxford, 1976, xii+216ページ, 25×17cm, 11,550円(Methods and Phenomena, their Applications in Science and Technology, Vol.2).
• H. Meiners 編: Physics Demonstration Experiments (2 Vol.), Ronald Press, New York, 1970, Vol. I; 652 ページ, Vol. II; 741 ページ, 28×21cm, 5,700 円(各巻)
• 極短時間応力負荷時の固体強度 II : ABS樹脂の応力白化(2) : 応数力学・応用力学(固体)
• 水中の火花放電エネルギーとガラスの破砕 : 粉体・液体・非晶質
• 単原子層と超薄膜多層構造--電子材料の将来像
• 太陽電池の開発動向
• 半導体ひずみ超格子の最近の発展
• センサ材料の最近の動向 (最近のセンサ材料とその応用)
• インテリジェント材料の最近の研究動向
• インテリジェント材料の創製は可能か (こんなに賢いインテリジェント材料)
• 太陽光発電の将来展望 (近未来のエネルギ-研究)
• OA機器とセンサ (OA機器におけるセンサ技術小特集)
• 大学と企業間の人的交流 (研究者教育) -- (大学と企業間の協力)
• 材料科学の進歩とセンサデバイス (センサ・テクノロジ-) -- (センサ技術の進歩)
• 極薄膜成長技術
• 新しい分子線エピタキシャル技術--ガスソ-ス分子線エピタキシ-
• 薄膜と電子部品 (膜部品技術小特集)
• ZnSe薄膜EL素子
• アモルファスSiを用いた熱電センサならびに歪センサ (センシングデバイス開発のための新センサ素子)
• センサの最近の動向 (センサ技術の基礎と応用例特集号)
• 情報の入口--高分子センサ-とトランスデュ-サ- (情報化社会と高分子)
• MBE(分子線エピタキシ-)-4-2-6族半導体のMBE (真空・薄膜・表面) -- (薄膜)
• センサの現状と将来像
• 化合物半導体太陽電池の性能限界 (自然エネルギ-利用と応用物理特集号) -- (太陽光発電)
• 太陽光発電
• 太陽電池による光・電エネルギー変換 : 性能の現状と理論限界
• 機関誌「応用物理」の行方を探る
• 学会の国際展開 : 「応用物理」80周年を迎えて
• 2013年度の事業計画と予算立案に関わるトップダウン方針
• タイトル無し
• 『応用物理』懇談会 : 読まれる誌面づくりに向かって(後編)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク