極薄膜成長技術
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概要
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Recent progess in techniques for growing semiconductor thin films is reviewed. Molecular beam epitaxy (MBE) and metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) have emerged as techniques for preparing ultrathin semiconductor layers with accuracies of atomic dimensions. New results using these techniques are presented. Intensity oscillations in reflection high energy electron diffraction (RHEED) can be used in MBE to monitor atomic-layer growth and recent reports show that MO CVD can produce monolayer superlattices. Finally, new techniques for growing semiconductor films such as MOMBE (metal-organic molecular beam epitaxy) and ALE (atomic layer epitaxy) are also presented. (J. Cryst. Soc. Jpn. <B>28</B>, <I>124</I> (1986) ) .
- 日本結晶学会の論文
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