酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
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概要
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シリコンをチャネルに用いた強誘電体ゲートトランジスタは、シリコンと強誘電体間の界面にバッファ層を挿入する必要があり、誘起電荷量の不整合や減分極電界による保持特性の劣化等の問題がある。本研究ではバッファ層なしで正常なトランジスタ動作が可能で、強誘電体の大きな分極を利用できる酸化物半導体をチャネルに用いた強誘電体ゲートトランジスタのメモリ特性を検討した。最初に負荷線解析を用いてメモリ特性が向上できると期待されるチャネルのキャリア濃度、膜厚を検討した。さらに、チャネル材料としてインジウム・スズ酸化物(ITO)やIn-Ga-Zn-O(IGZO)を用いてボトムゲート型の強誘電体ゲート薄膜トランジスタを作製し、電気的特性とメモリ特性を評価した。
- 2008-03-07
著者
-
柴田 宏
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
大岩 朝洋
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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