強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
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概要
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強誘電体と高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタの電気的特性を報告する。強誘電体や高誘電率材料は、誘起できる電荷量が従来のSiO_2よりも大きいため、比較的低い動作電圧でも大きなオン電流が得られる。さらに強誘電体の場合には不揮発性のメモリ機能も発現される。本研究ではこの大電荷制御という特長を生かして、ゲート絶縁膜には強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_<12> (BLT)および高誘電率材料のBi_<1.5>Zn_<1.0>Nb_<1.5>O_7 (BZN)を用いて、キャリア濃度の高いインジウム・スズ酸化物(ITO)のチャネルを制御する薄膜トランジスタ(TFT)を報告する。石英基板上に形成するとこれらの素子は透明であり、7桁以上のオンオフ比を持つ良好な電気的特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-04-11
著者
-
柴田 宏
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
近藤 洋平
東京工業大学精密工学研究所
-
大岩 朝洋
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
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