強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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強誘電体メモリ(FeRAM)は,不揮発性,低消費電力,高速動作が可能なメモリとして注目されている.中でも,Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)薄膜を使用したキャパシタ型のFeRAMは,現在最も実用化が進んでおり,更なる膜特性の改善が求められている.本研究では,PZT薄膜に着目し,仮焼成を減圧雰囲気下で行うことにより,PZT薄膜の電気的特性の改善を試みた.これにより,PZT薄膜の残留分極量(Pr=35μC/cm^2),抗電界(Ec=64kV/cm),飽和特性,矩形性,リーク電流などの強誘電特性をいずれも著しく改善することに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学
-
妹尾 賢
東京工業大学
-
宮迫 毅明
東京工業大学
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宮迫 毅明
東京工業大学精密工学研究所
-
妹尾 賢
東京工業大学精密工学研究所
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