宮迫 毅明 | 東京工業大学
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概要
関連著者
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学
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妹尾 賢
東京工業大学
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宮迫 毅明
東京工業大学
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宮迫 毅明
東京工業大学精密工学研究所
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妹尾 賢
東京工業大学精密工学研究所
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瀋 悦
東京工業大学 大学院 理工学研究科 電気甲子工学専攻
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瀋 悦
東京工業大学精密工学研究所
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瀋 悦
東京工業大学
著作論文
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価