宮迫 毅明 | 東京工業大学精密工学研究所

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概要

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関連著者

• 徳光 永輔

  東京工業大学 精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所

• 徳光 永輔

  東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター

• 徳光 永輔

  東京工業大学

• 妹尾 賢

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• 宮迫 毅明

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• 宮迫 毅明

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• 妹尾 賢

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• 瀋 悦

  東京工業大学 大学院 理工学研究科 電気甲子工学専攻

• 瀋 悦

  東京工業大学精密工学研究所

• 瀋 悦

  東京工業大学

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著作論文

• ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
• ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
• C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価

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