徳光 永輔 | 東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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概要
関連著者
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
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徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東京工業大学
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徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
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石原 宏
東京工業大学
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石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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妹尾 賢
東京工業大学
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妹尾 賢
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
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宮迫 毅明
東京工業大学
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宮迫 毅明
東京工業大学精密工学研究所
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日野 史郎
東京工業大学精密工学研究所
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藤崎 芳久
日立製作所中央研究所
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尹 聖民
フロンティア創造共同研究センター
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中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
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高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
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徳光 永輔
東北大学 電気通信研究所
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徳光 永輔
東北大学 It-21 センター
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舟窪 浩
東京工大 工
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柴田 宏
東京工業大学精密工学研究所
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川口 直一
東京工業大学精密工学研究所
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大岩 朝洋
東京工業大学精密工学研究所
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貴志 真士
東京工業大学精密工学研究所
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斎木 博和
東京工業大学精密工学研究所
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天野 敦弘
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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藤井 厳
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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川口 直一
東京工業大学 精密工学研究所
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三浦 成久
三菱電機先端技術総合研究所
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Yoon Sung-min
Etri
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尹 聖民
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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Lee Gwang-Geun
東京工業大学精密工学研究所
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Yoon Sung-Min
Electronics and Telecommunications Res. Inst. (ETRI)
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Yoon Joo-Won
東京工業大学総合理工学研究科
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今田 将吾
東京工業大学精密工学研究所
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神保 武人
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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佐野 春行
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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瀋 悦
東京工業大学 大学院 理工学研究科 電気甲子工学専攻
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藤崎 芳久
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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井関 邦江
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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青木 智治
東京工業大学精密工学研究所
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岡本 浩次郎
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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瀋 悦
東京工業大学精密工学研究所
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今田 将吾
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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瀋 悦
東京工業大学
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大島 享介
ソニー株式会社
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大島 享介
東京工業大学 精密工学研究所
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大森 達夫
三菱電機先端技術総合研究所
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畑山 智裕
東京工業大学精密工学研究所
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今泉 昌之
三菱電機先端技術総合研究所
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近藤 洋平
東京工業大学精密工学研究所
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鈴木 卓哉
東京工業大学 精密工学研究所
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朴 成一
東京工業大学精密工学研究所
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徳光 永輔
東北大電気通信研究所 IT-21センター
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杉田 直紀
東京工業大学精密光学研究所
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磯辺 武揚
東京工業大学精密工学研究所
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木島 健
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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山田 泰之
東京工業大学精密工学研究所
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石黒 暁夫
東京工業大学精密工学研究所
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日野 史郎
三菱電機先端技術総合研究所
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炭谷 博昭
三菱電機先端技術総合研究所
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山田 泰之
東京工業大学大学院理工学研究科機械宇宙システム専攻
著作論文
- ゾルゲル法によるZrO_2、SrZrO_3薄膜の作製と評価
- MOCVD法による堆積膜/SiCの作製と評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- 強誘電体を用いたフレキシブル・ロジックゲート
- C-11-4 強誘電体を制御キャパシタに用いたニューロンMOSインバータ
- 強誘電体を用いたニューロン素子とその結合システム
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 有機強誘電体P(VDF-TrFE)と無機酸化物半導体IGZOを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタの作製と評価(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
- 強誘電体および高誘電率材料をゲート絶縁膜に用いた酸化物チャネル薄膜トランジスタ(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
- 酸化物チャネル強誘電体ゲート不揮発性メモリ素子の作製と評価(不揮発メモリと関連技術及び一般)
- C-11-9 共沸硝酸酸化 SiO_2 の強誘電体ゲートトランジスターバッファ層への応用
- C-10-4 酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタにおけるメモリ特性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
- HfO_2のMOCVD成膜におけるH_20酸化剤の効果(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- C-11-6 交互供給 MOCVD 法によるゲート絶縁膜用 HfO_2 薄膜の作製と評価
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- プラズマプロセスを用いた溶液気化MOCVD法によるSrBi_2Ta_2O_9薄膜の作製
- 強誘電体(Bi,La)_4Ti_3O_12薄膜と高容量バッファ層を用いたMFMIS構造の作製と評価
- SSDM2001, 国際固体素子・材料コンファレンス
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- 強誘電体(Sr,Sm)Bi_2Ta_2O_9とAl_2O_3/Si_3N_4バッファ層を用いた強誘電体ゲート構造の作製と評価(AWAD2003(先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ))
- ITOチャネルを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ
- C-11-5 強誘電体ゲート絶縁膜によるITOチャネル薄膜トランジスタの大電荷制御(C-11. シリコン材料・デバイス, エレクトロニクス2)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法によるPb(Zr,Ti)TiO_3薄膜の作製と強誘導体ゲート薄膜トランジスタへの応用(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- ゾルゲル法により形成したBi_La_XTi_3O_(BLT)薄膜の表面層を利用した配向性・電気的特性制御(新型不揮発性メモリー)
- 強誘電体PZT薄膜のゾルゲル法における減圧仮焼成の効果(半導体Si及び関連材料・評価)
- C-11-7 減圧仮焼成を用いたゾルゲル法による PZT 薄膜の作製と評価
- 強誘電体ゲートトランジスタ用SBT系材料の形成と評価
- C-11-2 Sr_Bi_Ta_2O_9,Sr_Sm_Bi_Ta_2O_9を用いたMFMIS構造FETの評価(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-1 ゾルゲル法により形成したSr_Sm_Bi_Ta_2O_9(SSBT)薄膜の酸素流量依存性(C-11.シリコン材料・デバイス)
- C-11-9 スプリットゲート構造を有する強誘電体ゲートトランジスタ
- ゾルゲル法による(Bi,La)_4Ti_3O_薄膜の作製とMFMIS構造への応用
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- MBE法を用いた強誘電体YMnO_3薄膜のSi(111)基板上への成長と強誘電体ゲートトランジスタへの応用
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Pt/SiO_2/Si MFMIS構造およびFETの電気的特性 : MFMキャパシタ/Ptフローティングゲート面積比依存性
- Al_2O_3堆積膜をゲート絶縁膜に用いたSiC-MOSFETの作製と評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)