SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6/SiONバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETのデバイスパラメータの最適化
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概要
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強誘電体ゲートトランジスタは次世代の不揮発性メモリ素子として期待されている。本研究では、強誘電体SrBi_2Ta_2O_9とSrTa_2O_6 / SiONバッファ層を用いた金属 / 強誘電体 / 金属 / 絶縁体 / 半導体(MFMIS)FETのメモリウインドウやデータ保持特性などの電気的特性の向上を目的として、各層の膜厚や上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積比などを変えてデバイスを試作し、3.5V以下の低電圧においても正常なメモリ動作をすることを確認した。また、上部MFMキャパシタと下部MIS構造の面積比を大きくすることで良好な保持特性が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-22
著者
-
石原 宏
東京工業大学
-
徳光 永輔
東京工業大学 精密工学研究所
-
石原 宏
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東京工業大学
-
岡本 浩次郎
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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