CVD法によるゲート絶縁膜用HfO_2薄膜の作製
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概要
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Hf原料にHTB(Hf(O-tC_4H_9)_4)を用いてCVD法によりp型si(100)上にHfO_2薄膜を堆積した。物理膜厚2.5nmのHfO_2薄膜を用いてAl/HfO_2/SiO_2/Si/Ag(MIS)構造の作製しC-V特性を測定したところ、ヒステリシスの小さいC-V曲線が得られ、SiO_2換算膜厚(EOT)1.8nmが得られた。HRTEMによる断面観察では、SiとHfO_2間に1.4nmの界面層の形成が確認された。EOTのHfO_2薄膜の物理膜厚依存性からHfO_2薄膜の比誘電率は19.7、界面層のEOTは1.4nmであった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-06-24
著者
-
舟窪 浩
東京工大 工
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
舟窪 浩
東京工業大学総合理工学科学研究所
-
徳光 永輔
東北大学電気通信研究所
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
中山 誠
東京工業大学精密工学研究所
-
高橋 健治
東京工業大学総合理工学研究科
-
徳光 永輔
東北大学 電気通信研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所
-
徳光 永輔
東京工業大学精密工学研究所:東北大学電気通信研究所it-21センター
-
徳光 永輔
東北大学 It-21 センター
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