a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
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概要
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これまでビスマス層状強誘電体の分極軸である[100]方向への強誘電性の評価は、バルク単結晶や数十ミクロンの厚膜に限られており、特にエピタキシャル成長薄膜を用いた直接的な評価は行われていない。これはビスマス層状強誘電体の長いc軸と、下地基板結晶との長周期での格子整合が困難であるためと考えられる。本研究ではa,b軸配向ビスマス層状強誘電体薄膜の下部基板として、エピタキシャル成長した導電性ルチル構造酸化物に着目した。NdとVで同時置換したBi_4Ti_3O_12[(Bi,Nd)_4(Ti,V)_3O_12,BNTV]薄膜を、析出温度600℃でMOCVD法を用いて(101)RuO_2//(012)Al_2O_3及び(101)RuO_2//(110)Al_2O_3構造上に析出させた。作成されたBNTV薄膜はa,b軸配向したエピタキシャル成長膜で、20μC/cm^2以上の大きな残留分極値が観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
野口 祐二
東大先端研
-
宮山 勝
東大先端研
-
宮山 勝
東京大学生産技術研究所
-
鈴木 利昌
太陽誘電
-
鈴木 利昌
太陽誘電株式会社
-
藤本 正之
太陽誘電株式会社
-
長田 実
物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター
-
Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
-
Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
-
吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
渡辺 隆之
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
長田 実
科学技術振興事業団 さきがけ研究21
-
伊佐 寛
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
佐々木 敦
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
野口 祐二
東京大学生産技術研究所
-
斎藤 啓介
日本フィリップス アプリケーションラボラトリー
-
野口 祐二
東京大学先端科学技術研究センター
-
藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
-
舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
-
舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
-
吉本 譲
東京工業大学応用セラミックス研究所
-
吉本 護
東京工業大学
-
佐々木 敦
東京工業大学
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