欠陥制御によるビスマス系強誘電体単結晶の高品質化(実験技術)
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概要
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無機材料において,格子欠陥が悪影響を及ぼして,本来の物性を隠してしまうことがある.強誘電体では,少量の欠陥は分極の反転に必要不可欠であるが,欠陥の濃度が高くなると,様々な問題を引き起こす.Pb系材料の代替物質として期待されているBi系ペロブスカイト型強誘電体では,過去60年間にわたり,欠陥の問題が原因で,基礎物性の評価が可能な単結晶は得られていなかった.本稿では,著者らが世界に先駆けて開発した,高酸素圧下における結晶育成法が,Bi系強誘電体の高品質化に極めて有効であることを述べ,その開発の経緯を簡単に紹介する.
- 2010-10-05
著者
-
野口 祐二
東大先端研
-
宮山 勝
東大先端研
-
宮山 勝
東京大学先端科学技術研究センター
-
野口 祐二
東京大学先端科学技術研究センター
-
北中 佑樹
東京大学先端科学技術研究センター
-
野口 祐二
東大先端科技セ
-
宮山 勝
東京大学先端科学技術研究セソター
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