La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御
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概要
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SrBi_2Ta_2O_9(SBT)の結晶構造と強誘電分極特性に及ぼすLa置換の効果について調べた。中性子回折パターンをリートベルト解析した結果、La置換はSr^2+サイト(ペロブスカイトAサイト)に優先的に起こりAサイト空孔が生じることが分かった。La置換により、分極特性は大きな残留分極とともに著しく小さな抗電界を示した。a-b面内でのTaO_6八面体の回転角はLa置換量によらずほぼ一定であったが、分極方向(a軸方向)のチルト角はLa置換量の増加とともに減少した。La置換に伴うAサイト空孔量増加が小さなチルト角と抗電界の原因と考えられる。
- 2002-03-07
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