ビスマス系層状強誘電体の欠陥構造と物性

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本セラミックス協会の論文
• 2005-08-01

著者

• 野口 祐二

  東大先端研

• 宮山 勝

  東大先端研

• 宮山 勝

  東京大学先端科学技術研究センター

• 野口 祐二

  東京大学先端科学技術研究センター

関連論文

• 21aPS-92 (Bi0.5K0.5)TiO_3-BiFeO_3における相分離状態での分極ナノドメイン(21aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pHS-2 ビスマス層状ペロフスカイトPb_2Bi_4Ti_5O_単結晶のブリルアン散乱(21pHS 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答・誘電体(領域5・10合同セッション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 新規交代層強誘電体Bi_2WO_6-Bi_3TaTiO_9
• 欠陥制御によるビスマス系強誘電体単結晶の高品質化
• 28aYJ-12 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における微細構造と磁気特性・誘電特性の相関(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30aRF-6 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性とドメイン構造(4)(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aVE-4 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性とドメイン構造(3)(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYE-13 BiFeO_3-BaTiO_3における磁気誘電特性とドメイン構造(2)(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• LaMn_Cr_xO_3の磁気特性
• 高温用ペロブスカイト型強誘電体の欠陥制御 (特集 高温電子セラミックス)
• 電子セラミックスの最先端研究動向と将来展望
• 3D33 PbZrO_3-PbZn_Nb_O_3-Pb(Bi_Li_)TiO_3 の圧電特性
• 20pPSA-1 三角格子系誘電体LuFeCuO_4における磁気誘電特性と酸素アニール処理効果(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 電気抵抗の残留変化の測定によるCFGFRP複合材料の破壊予知
• サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
• a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
• 欠陥制御によるビスマス系強誘電体単結晶の高品質化(実験技術)
• ビスマス層状構造強誘電体の機能設計(第59回日本セラミックス協会学術賞受賞研究総説)
• 150℃までの高水蒸気分圧下におけるリン複合メソ多孔シリカのプロトン導電性
• メソ多孔シリカとリチウム電解液からなる固液複合薄膜のイオン伝導性
• 2D10 気相成長法による酸化亜鉛モデル粒界の作製
• 24aTE-14 BiFeO_3-BaTiO_3での磁気誘電特性と分域構造(誘電体(マルチフェイロック関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aPS-58 ビスマス層状ペロフスカイト型強誘電体における紫外光照射効果(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aRF-7 強誘電性ビスマス層状ペロフスカイト酸化物の紫外光照射効果(27aRF 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRF-6 強誘電性Bi層状ペロフスカイトBaBi_4Ti_4O_の低振動光散乱(27aRF 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 半導体セラミック単繊維による赤外線感知
• SiC繊維サーミスタによる赤外線検知(導電性セラミックス)
• 21aXA-11 BiFeO_3-BaTiO_3における強誘電分域構造のTEM観察(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aPS-127 強誘電性ビスマス層状ペロフスカイトPb_2Bi_4Ti_5O_の光誘起効果II(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 21aVE-7 非鉛系リラクサー(Na_Bi_)TiO_3における過減衰したTOモード(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Flash Creation Method生成ナノ粉末を用いて作製した高品質非鉛強誘電体セラミックス(周期空間と相互作用する新しいセラミックスのマテリアルデザインとプロセッシング)
• BaBi_4Ti_4O_単結晶の電気的異方性
• 層状構造BaBi_4Ti_4O_単結晶の常誘電相における電気的異方性の複素インピーダンスとモジュラスによる解析
• 24aPS-131 (1-x)BiFeO_RTiO_3(R=Pb and Sr)における誘電特性と微細構造(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 19pXA-11 リラクサー誘電体Na_Bi_TiO_3の中性子散漫散乱(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 低キュリー点PTCサーミスタの赤外線検出特性
• PTCサーミスタの赤外線検出特性(センサー・バリスター)(導電性セラミックス)
• 炭素繊維の感湿性電気比抵抗に及ぼす微細構造の影響
• 3D23 半導性炭素繊維の微構造と電気的特性との関係
• 1B18 炭素繊維によるガス感知
• SiC繊維の電気抵抗の熱応答(セラミック・レター)(ガラス・アモルファス材料及びその材料科学の進展)
• 23pWY-8 (1-x)BiFeO_BaTiO_3における磁気・誘電特性と微細構造(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 高温用ペロブスカイト型強誘電体の欠陥制御
• 26pYJ-6 高品質Bi系強誘電体単結晶の育成と物性評価(新規誘電体設計と究極の試料作製,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 圧電材料 (特集 薄型化を支援する部品材料)
• 層状構造強誘電体の欠陥構造と機能
• 欠陥制御によるK_Na_NbO_3単結晶の材料設計(無鉛圧電材料・素子)
• 3F07 ランタノイド置換チタン酸ビスマス薄膜の MOCVD 合成と評価
• ピッチ系及びPAN系半導性炭素繊維の電気的特殊
• 高電圧パルスによる炭素繊維の電気抵抗制御
• CuO-ZnO複合体に添加した金のガス検知特性に対する粒子サイズ効果
• 22pTE-2 Bi_4Ti_3O_のLa置換による構造安定化に関する電子密度直接可視化II(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pZD-4 Bi_4Ti_3O_のLaドープによる構造安定化に関する電子密度直接可視化(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• ランタン及びガドリニウムを添加したBaTiO_3単結晶の育成とその電気的性質
• 複合材料のパーコレーション構造のコンピューターシミュレーション
• 導電性セラミックス複合材料の引張り応力と圧縮応力による電気抵抗の変化
• PZT/ZnOアクチュエーターにおける還元性ガスペの機械的応答
• ナトリウムを添加した酸化銅及び酸化亜鉛よりなるpnヘテロ接触の複素インピーダンス特性を用いた一酸化炭素ガスの識別
• 1D15 PbBi_4Zr_xTi_O_ 及び Pb_2Bi_4Zr_xTi_O_ セラミックスの強誘電特性
• GIS/GCB絶縁ガス中の水分検出センサに関する研究 : —トリエチレンジアミン硫酸塩固体電解質センサの基礎特性—
• La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御
• 酸塩基ヘテロ接触の電気抵抗に及ぼす水蒸気の効果(セラミックレターズ)
• α-PbOにおける化学結合と電子状態 : 第一原理バンド計算による解析
• p-n半導体コンタクトを用いたアルコールセンサ
• p-n半導体コンタクトによる分子認識
• GIS/GCB絶縁ガス中の水分検出センサに関する研究 : トリエチレンジアミン硫酸塩固体電解質センサの基礎特性
• 高圧酸素下溶融引き上げ法による高品質ビスマス系強誘電体単結晶の育成 (特集 単結晶材料の育成技術と応用の新展開)
• Pb置換SrBi_2Ta_2O_9の格子ひずみと強誘電特性
• Nd_2CuO_4/4YSZ/Pt素子の直流電流におけるNO_x応答特性
• CFGFRP複合材料の電気抵抗測定による破壊予知
• 26aPS-116 電場印加したBaTiO_3単結晶の格子歪みの時分割測定(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 湿度に感応する圧電アクチュエーター
• PZT圧電セラミックスによる振動吸収
• ZnO/SiCヘテロコンタクトを用いた塩素ガス検知
• ビスマス系層状強誘電体の欠陥構造と物性
• 強誘電体結晶のドメインプロービング
• 強誘電体メモリー材料における格子欠陥と機能
• 欠陥エンジニアリングによる層状構造強誘電体の材料設計
• 解説 鉛を含まない強誘電体メモリー材料の進展--欠陥制御による分極特性の向上
• ビスマス層状構造酸化物の格子歪みと強誘電物性 ( 材料界面マイクロ工学)
• 非鉛系強誘電体の巨大分極特性 (特集 巨大機能物性セラミックスの最新動向)
• 26aPS-110 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性と微細構造(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGN-1 X線MEM構造解析によるPbTiO_3の価電子密度分布(22pGN 酸化物・ペロヴスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aPS-137 放射光単結晶回折によるBaTiO_3の電場誘起格子歪みの時分割測定(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 欠陥制御による非鉛圧電材料の高機能化 (特集 非鉛系圧電材料の新展開)
• 高圧酸素下溶融引き上げ法による高品質ビスマス系強誘電体単結晶の育成
• ビスマス系強誘電・圧電性結晶における格子欠陥制御と高機能化
• 電子材料分野の発展
• 20pAR-5 (1-x)BiFeO_3-xSrTiO_3における強誘電ドメイン構造と分極回転(20pAR 誘電体(ペロフスカイト,酸化物,量子効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pXS-5 MnをドープしたBiFeO_3のXAFS測定(28pXS 誘電体(マルチフェロイック,シミュレーション他),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aPS-130 電場印加したチタン酸バリウムの結晶構造解析(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク