野口 祐二 | 東大先端研

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概要

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• 東大先端研の論文著者

関連著者

• 野口 祐二

  東大先端研

• 宮山 勝

  東大先端研

• 野口 祐二

  東京大学先端科学技術研究センター

• 野口 祐二

  東大先端科技セ

• 森 茂生

  阪府大院工

• 森 茂生

  大阪府立大院工学

• Miyashita S

  Univ. Tsukuba

• 尾崎 友厚

  阪府大院工

• 北中 佑樹

  東京大学先端科学技術研究センター

• 西原 禎文

  阪府大院理

• 森 茂生

  大阪府大工

• 宮山 勝

  東京大学先端科学技術研究センター

• 尾崎 友厚

  Jsps

• 森 茂生

  大阪府立大学大学院工学研究科

• 森吉 千佳子

  広大院理

• 黒岩 芳弘

  広大院理

• 吉井 賢資

  原研関西

• 細越 裕子

  阪府大院理:阪府大ナノ研

• 武貞 正樹

  北大院理

• 小野寺 彰

  北大理

• 小野寺 彰

  北大院理

• 北中 佑樹

  東大先端研

• Onodera Akira

  Medicinal Research Laboratories Taisho Pharmaceutical Co. Ltd.

• 宮山 勝

  東京大学先端科学技術研究セソター

• 宮山 勝

  東京大学生産技術研究所

• 細越 裕子

  阪府大院理

• 寺西 俊輔

  東大先端研

• 野口 祐二

  東京大学生産技術研究所

• Mori S

  Department Of Materials Science Osaka Prefecture University

• 大沢 仁志

  JASRI

• 森 茂生

  阪府大工

• 大澤 仁志

  JASRI SPring-8

• 武貞 正樹

  北大理

• 植木 彩圭

  北大院理

• 杉本 邦久

  JASRI

• 黒岩 芳弘

  広島大学

• 杉本 邦彦

  JASRI

• 喜多川 修次

  大阪府大院工

• 黒岩 芳弘

  広島大学大学院理学研究科

• 森吉 千佳子

  広島大学大学院理学研究科

• 杉本 邦久

  JASRI/SPrine-8

• 廣田 和馬

  阪大理

• 松浦 直人

  阪大院理

• 平本 尚三

  広大理

• 西原 禎文

  阪府大院工

• 細越 裕子

  阪府大院工

• 吉井 資次

  日本原子力研究所

• 杉本 邦久

  Jasri Spring-8

• 大沢 仁志

  高輝度光科学研究センター

• 大久保 寿紀

  広大院理

• 広田 和馬

  大阪大理

• 木崎 陽一

  東大先端研

• 鈴木 宗泰

  東大先端研

• 長田 実

  物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター

• Funakubo H

  Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• Funakubo H

  Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn

• Funakubo Hiroshi

  Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And

• 渡辺 隆之

  東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 長田 実

  科学技術振興事業団 さきがけ研究21

• 牟田 絢香

  北大院理

• 舟窪 浩

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 金 秀宰

  広大院理

• 飯田 裕之

  東大物性研

• 藤井 亮太

  阪府大院工

• 西原 禎文

  広大理

• Hamidov S.

  アゼルバイジャン国立科学アカデミー

• 平本 尚三

  広大院理

• 舟窪 浩

  東工大院総合理工学研究科

• 木村 紗耶加

  広大院理

• 徳永 将史

  東大物性研

• 池田 直

  岡山大院自然

• 松浦 直人

  阪大理

• 松尾 拓紀

  東大先端研

• 左右田 稔

  阪大理

• 田中 宏志

  島根大総合理工

• 村田 知紀

  北大院理

• 黒岩 芳弘

  広大理

• 池田 直

  岡山大理

• 鈴木 利昌

  太陽誘電

• 渡辺 晃

  株式会社 ホソカワ粉体技術研究所

• 米田 安宏

  原子力機構

• 内田 寛

  国立小児病院小児衣料研究センター感染症研究部

• 松浦 直人

  東大物性研

• 廣田 和馬

  東大物性研

• 野城 清

  大阪大学接合科学研究所

• 宮山 勝

  原研関西

• 喜多川 修次

  阪府大院

• 松尾 祥史

  大阪府大工

• 岡田 勲

  上智大学理工学部

• 鈴木 利昌

  太陽誘電株式会社

• 藤本 正之

  太陽誘電株式会社

• 中村 吉伸

  東大

• 細越 裕子

  阪府大理

• 鏡 太介

  北大院理

• 宮山 勝

  東大 先端科学技術研究セ

• 堀部 陽一

  Rutgers Univ.

• 松尾 祥史

  阪府大理

• 森 茂生

  阪府大院理

• 堀部 陽一

  ラトガース大

• 福井 武久

  株式会社 ホソカワ粉体技術研究所

• 田中 宏志

  島根大学

• 舟窪 浩

  東工大総理工

• 吉本 護

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 酒井 朋裕

  東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 小嶌 隆志

  東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻

• 野口 祐二

  東京大学 生産技術研究所

• 宮山 勝

  東京大学 生産技術研究所

• 飯島 高志

  独立行政法人産業技術総合研究所 スマートストラクチャー研究センター

• 松田 弘文

  独立行政法人産業技術総合研究所 スマートストラクチャー研究センター

• 内田 寛

  上智大学 理工学部 化学科

• 岡田 勲

  上智大学 理工学部 化学科

• 伊佐 寛

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 佐々木 敦

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 斎藤 啓介

  日本フィリップス アプリケーションラボラトリー

• 渡辺 隆之

  東工大院物創

• 宮山 勝

  東京大学 先端科学技術研究センター

• 堀部 陽一

  ラトガース大学

• 岡田 勲

  上智大学理工学部化学科

• 竹内 康子

  東大

• 工藤 徹一

  東大

• 喜多川 修次

  阪府大理

• 西原 禎文

  阪府大理

• 吉井 賢資

  原研機構関西

• 福永 正則

  北大院理

• 片岡 晋哉

  北大院理

• 藤本 正之

  太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部

• 藤本 正之

  太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部

• 工藤 徹一

  長崎大学工学部

• 鈴木 利昌

  太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部

• 藤本 正之

  太陽誘電 R&dセ

• 喜多川 修次

  阪府大院理

• 渡辺 晃

  (株)ホソカワ粉体技術研究所

• 福井 武久

  (株)ホソカワ粉体技術研究所

• Mori S

  Tokyo Inst. Technol. Tokyo

• 木崎 陽一

  東京大学先端科学技術研究センター

• 廣田 和篤

  東大物性研

• 内田 寛

  国立小児病院小児医療研究センター

• 森吉 千佳子

  広大院・理

• Hirota K

  Department Of Physics Tohoku University

• 清水 寛之

  東京大学生産技術研究所

• 左右田 稔

  阪大院理

• Nishihara S.

  阪府大院工

• 高橋 尚武

  半東京大学生産技術研究所

• 野口 祐二

  半東京大学生産技術研究所

• 宮山 勝

  半東京大学生産技術研究所

• 吉本 譲

  東京工業大学応用セラミックス研究所

• 吉本 護

  東京工業大学

• 内田 寛

  埼玉社会保険病院外科

• 大沢 仁志

  Jasri/spring-8

• 飯島 高志

  産業技術総合研

• 森 茂生

  大阪府大理

• 小山 司

  阪府大院工

• 安田 智史

  広大院理

• 森吉 千佳子

  広島大院理

• 福島 要

  島根大総合理工

• 佐々木 敦

  東京工業大学

• 引地 奈津子

  広大院理

• 田中 宏志

  鳥根大総合理工

• 田中 宏志

  島根大学総合理工

• 森 茂生

  阪府大総科:科技団

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著作論文

• 21aPS-92 (Bi0.5K0.5)TiO_3-BiFeO_3における相分離状態での分極ナノドメイン(21aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21pHS-2 ビスマス層状ペロフスカイトPb_2Bi_4Ti_5O_単結晶のブリルアン散乱(21pHS 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答・誘電体(領域5・10合同セッション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28aYJ-12 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における微細構造と磁気特性・誘電特性の相関(誘電体(TGS・硫安系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 30aRF-6 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性とドメイン構造(4)(30aRF 誘電体(リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aVE-4 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性とドメイン構造(3)(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pYE-13 BiFeO_3-BaTiO_3における磁気誘電特性とドメイン構造(2)(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 20pPSA-1 三角格子系誘電体LuFeCuO_4における磁気誘電特性と酸素アニール処理効果(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• サイトエンジニアリングコンセプトを用いたBi_4Ti_3O_12基薄膜特性の設計
• a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
• 欠陥制御によるビスマス系強誘電体単結晶の高品質化(実験技術)
• 2D10 気相成長法による酸化亜鉛モデル粒界の作製
• 24aTE-14 BiFeO_3-BaTiO_3での磁気誘電特性と分域構造(誘電体(マルチフェイロック関連),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 27aPS-58 ビスマス層状ペロフスカイト型強誘電体における紫外光照射効果(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aRF-7 強誘電性ビスマス層状ペロフスカイト酸化物の紫外光照射効果(27aRF 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 27aRF-6 強誘電性Bi層状ペロフスカイトBaBi_4Ti_4O_の低振動光散乱(27aRF 領域10,領域5合同 誘電体の光制御・光学応答,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aXA-11 BiFeO_3-BaTiO_3における強誘電分域構造のTEM観察(誘電体(マルチフェロイック関連),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 24aPS-127 強誘電性ビスマス層状ペロフスカイトPb_2Bi_4Ti_5O_の光誘起効果II(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 21aVE-7 非鉛系リラクサー(Na_Bi_)TiO_3における過減衰したTOモード(21aVE 誘電体(マルチフェロ・リラクサー),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• Flash Creation Method生成ナノ粉末を用いて作製した高品質非鉛強誘電体セラミックス(周期空間と相互作用する新しいセラミックスのマテリアルデザインとプロセッシング)
• 24aPS-131 (1-x)BiFeO_RTiO_3(R=Pb and Sr)における誘電特性と微細構造(24aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 19pXA-11 リラクサー誘電体Na_Bi_TiO_3の中性子散漫散乱(誘電体(リラクサー),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pWY-8 (1-x)BiFeO_BaTiO_3における磁気・誘電特性と微細構造(23pWY マルチフェロイック・リラクサー,領域10(誘電体格子欠陥,X線・粒子線フォノン))
• 高温用ペロブスカイト型強誘電体の欠陥制御
• 26pYJ-6 高品質Bi系強誘電体単結晶の育成と物性評価(新規誘電体設計と究極の試料作製,領域10シンポジウム,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 圧電材料 (特集 薄型化を支援する部品材料)
• 層状構造強誘電体の欠陥構造と機能
• 欠陥制御によるK_Na_NbO_3単結晶の材料設計(無鉛圧電材料・素子)
• 3F07 ランタノイド置換チタン酸ビスマス薄膜の MOCVD 合成と評価
• 22pTE-2 Bi_4Ti_3O_のLa置換による構造安定化に関する電子密度直接可視化II(誘電体(酸化物系),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 23pZD-4 Bi_4Ti_3O_のLaドープによる構造安定化に関する電子密度直接可視化(23pZD 誘電体,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• La置換および空孔導入によるSrBi_2Ta_2O_9の低抗電界化 : Defect Engineering による分極特性制御
• α-PbOにおける化学結合と電子状態 : 第一原理バンド計算による解析
• Pb置換SrBi_2Ta_2O_9の格子ひずみと強誘電特性
• 26aPS-116 電場印加したBaTiO_3単結晶の格子歪みの時分割測定(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• ビスマス系層状強誘電体の欠陥構造と物性
• 強誘電体結晶のドメインプロービング
• 強誘電体メモリー材料における格子欠陥と機能
• 欠陥エンジニアリングによる層状構造強誘電体の材料設計
• 解説 鉛を含まない強誘電体メモリー材料の進展--欠陥制御による分極特性の向上
• 26aPS-110 (1-x)BiFeO_3-xBaTiO_3における磁気・誘電特性と微細構造(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22pGN-1 X線MEM構造解析によるPbTiO_3の価電子密度分布(22pGN 酸化物・ペロヴスカイト,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 23aPS-137 放射光単結晶回折によるBaTiO_3の電場誘起格子歪みの時分割測定(23aPS 領域10ポスターセッション,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 欠陥制御による非鉛圧電材料の高機能化 (特集 非鉛系圧電材料の新展開)
• 高圧酸素下溶融引き上げ法による高品質ビスマス系強誘電体単結晶の育成
• ビスマス系強誘電・圧電性結晶における格子欠陥制御と高機能化
• 20pAR-5 (1-x)BiFeO_3-xSrTiO_3における強誘電ドメイン構造と分極回転(20pAR 誘電体(ペロフスカイト,酸化物,量子効果),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pXS-5 MnをドープしたBiFeO_3のXAFS測定(28pXS 誘電体(マルチフェロイック,シミュレーション他),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 26aPS-130 電場印加したチタン酸バリウムの結晶構造解析(26aPS 領域10ポスターセッション(誘電体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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