藤本 正之 | 太陽誘電株式会社
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概要
関連著者
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藤本 正之
太陽誘電株式会社
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藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
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小林 和義
太陽誘電株式会社
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小林 和義
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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池田 賢司
太陽誘電株式会社
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池田 賢司
太陽誘電(株)
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藤本 正之
太陽誘電(株)
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鈴木 利昌
太陽誘電
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近藤 龍一
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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太田 謙一
太陽誘電株式会社
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藤本 正之
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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鈴木 利昌
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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太田 謙一
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
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重谷 寿士
太陽誘電
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田中 順三
無機材研
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西 湯二
太陽誘電株式会社
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小林 和義
太陽誘電(株)
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杉村 渉
早大
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近藤 龍一
太陽誘電株式会社
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西 湯二
太陽誘電(株)
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藤本 正之
太陽誘電 (株) 総合技術研究所
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舟窪 浩
東工大総理工
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Funakubo H
Dep. Of Innovative And Engineered Materials Tokyo Inst. Of Technol.
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Funakubo Hiroshi
Department Of Innovative And Engineered Materials Interdisciplinary Graduated School Of Science And
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若林 博孝
太陽誘電(株)
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舟窪 浩
東京工業大学大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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近藤 龍一
太陽誘電(株)
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舟窪 浩
東工大院総合理工学研究科
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池田 賢司
太陽誘電
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野口 祐二
東大先端研
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宮山 勝
東大先端研
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宮山 勝
東京大学生産技術研究所
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田中 順三
無機材質研究所
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鈴木 利昌
太陽誘電株式会社
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関口 象一
太陽誘電株式会社
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松井 良夫
無機材研
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長田 実
物質・材料研究機構 ナノスケール物質センター
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舟窪 浩
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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Funakubo H
Tokyo Inst. Technol. Yokohama Jpn
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吉本 護
東京工業大学応用セラミックス研究所
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渡辺 隆之
東京工業大学 大学院 総合理工学研究科 物質科学創造専攻
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長田 実
科学技術振興事業団 さきがけ研究21
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伊佐 寛
東京工業大学応用セラミックス研究所
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佐々木 敦
東京工業大学応用セラミックス研究所
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野口 祐二
東京大学生産技術研究所
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斎藤 啓介
日本フィリップス アプリケーションラボラトリー
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野口 祐二
東京大学先端科学技術研究センター
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森戸 健太郎
太陽誘電(株)
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石川 勝之
東工大
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関口 象一
太陽誘電(株)
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白崎 信一
無機材質研
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茶園 広一
太陽誘電(株)
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松井 良夫
NIRIM
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田中 順三
NIRIM
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西原 隆治
島津けいはんな研
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石山 修
島津けいはんな研
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篠原 真
島津けいはんな研
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杉村 渉
早大理工
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川田 幸広
太陽誘電
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岩崎 誉志紀
太陽誘電(株)R & Dセンター 材料開発部
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松井 良夫
科学技術庁・無機材質研究所
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舟窪 浩
東工大工
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白崎 信一
科学技術庁無機材質研究所
-
額賀 紀全
東工大
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三矢 昌俊
東工大
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増田 秀俊
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォーメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
松下 祐二
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォーメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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岩崎 誉志紀
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォーメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
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吉本 譲
東京工業大学応用セラミックス研究所
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吉本 護
東京工業大学
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舟窪 浩
東工大
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関口 象一
太陽誘電
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佐々木 敦
東京工業大学
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白崎 信一
科学技術庁・無機材質研究所
著作論文
- 高周波磁性薄膜のCu-BCB2層インダクタへの応用
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜を用いた高周波薄膜インダクタ
- 磁性薄膜装荷型インダクタを用いた薄膜PAモジュールの試作
- (Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
- 新しい磁性薄膜インダクターの高周波への応用(セラミックスインテグレーション)
- 1D16 Co-Fe 系ナノグラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- GHz帯域用CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の磁気特性
- CoFeAlO薄膜のGHz帯域の磁気特性
- CoFeAlO薄膜を用いた高周波チョークコイル
- マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(セラミックスインテグレーション)
- エピタキシャルSnO_2ルチル薄膜中の欠陥構造の透過型電子顕微鏡研究
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- 2C21 BaTiO_3-Nb_2O_5-CoO 系における焼結挙動と特性
- MBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造と表面構造
- 3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
- 26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
- 26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
- 2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
- マイクロ波・ミリ波セラミックスインテグレーション (特集 セラミックスインテグレーション)
- 圧電体セラミックス : PZT の基礎と応用
- 3D05 ローカルエピタキシャル成長を利用した単配向 Bi 層状強誘電体薄膜の低温合成
- 新しい薄膜モジュールにおける配線接続技術(セラミックスインテグレーション)
- 収束イオンビーム法による薄膜受動集積回路の局所微小領域観察