26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-03-26
著者
関連論文
- 2J16 ハイドロキシアパタイト/コラーゲン複合体のエージングと架橋による物性変化
- 生体吸収性材料 (Hydroxyapatite/Collagen) による骨再建(第1報)整形外科及び口腔領域における骨再建の試み
- 高周波磁性薄膜のCu-BCB2層インダクタへの応用
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜を用いた高周波薄膜インダクタ
- 磁性薄膜装荷型インダクタを用いた薄膜PAモジュールの試作
- (Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
- 新しい磁性薄膜インダクターの高周波への応用(セラミックスインテグレーション)
- 1D16 Co-Fe 系ナノグラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性
- 1C11 2 成分系テルライトガラスの組成および温度による構造変化 [3]
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- GHz帯域用CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の磁気特性
- CoFeAlO薄膜のGHz帯域の磁気特性
- CoFeAlO薄膜を用いた高周波チョークコイル
- 2p-SB-31 (La, Ca)MnO_3の磁性
- マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(セラミックスインテグレーション)
- エピタキシャルSnO_2ルチル薄膜中の欠陥構造の透過型電子顕微鏡研究
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- 3A02 ZnO 単結晶の表面構造と電子状態
- 3A02 酸化亜鉛単結晶の表面観察
- 2H15 有機単分子膜を用いたハイドロキシアパタイト核形成の制御
- 3D22 ICTS 信号と粒界準位
- 3D18 SrTiO3 セラミックスの粒界特性 : 添加物効果
- 3D28 La 系超伝導体の希土類添加効果
- 3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
- 3D21 光 ICTS による BeO 添加 SiC セラミックスの粒界評価
- 3C32 層状ペロブスカイト化合物の構造と物性
- 2C21 BaTiO_3-Nb_2O_5-CoO 系における焼結挙動と特性
- MBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造と表面構造
- 3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
- 26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
- 26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
- 2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
- 2-1F01 アナターゼ型 TiO_2 薄膜の作製と評価
- 1E24 ZnO の HIP
- マイクロ波・ミリ波セラミックスインテグレーション (特集 セラミックスインテグレーション)
- 3A03 PLZT 系セラミックスの圧電特性への焼結条件の影響
- 圧電体セラミックス : PZT の基礎と応用
- 4a-LT-1 La_Ca_xMnO_の熱起電力
- 1p-BJ-16 La_0.8Ca_0.2MnO_3+y の電気伝導
- 3D05 ローカルエピタキシャル成長を利用した単配向 Bi 層状強誘電体薄膜の低温合成
- 新しい薄膜モジュールにおける配線接続技術(セラミックスインテグレーション)
- 収束イオンビーム法による薄膜受動集積回路の局所微小領域観察
- 電子線照射によって形成される水酸アパタイト{100}面の終端構造
- 11p-S-16 酸素欠損をもつペロブスカイト型誘電性半導体の電気伝導