26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
2J16 ハイドロキシアパタイト/コラーゲン複合体のエージングと架橋による物性変化
-
生体吸収性材料 (Hydroxyapatite/Collagen) による骨再建(第1報)整形外科及び口腔領域における骨再建の試み
-
高周波磁性薄膜のCu-BCB2層インダクタへの応用
-
CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜を用いた高周波薄膜インダクタ
-
磁性薄膜装荷型インダクタを用いた薄膜PAモジュールの試作
-
(Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
-
新しい磁性薄膜インダクターの高周波への応用(セラミックスインテグレーション)
-
1D16 Co-Fe 系ナノグラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性
-
28a-P-3 菱面体型結晶構造をもつBNホイスカーのELS及び電顕観察
-
26p-PSA-31 Y_2Ba_4(Cu_Co_x)_7O_酸化物超伝導体の構造と安定性
-
23aTF-1 I相、De相、および近似結晶の変調構造としての解析 (5)
-
31a-J-1 スピンラダー系(Sr, Ca)_Cu_O_の結晶構造と超伝導性
-
27aYM-7 214構造を持つ層状マンガン酸化物における構造、伝導・磁気特性
-
1C11 2 成分系テルライトガラスの組成および温度による構造変化 [3]
-
31a-J-2 粉末中性子回折による複合結晶Sr_Ca_Cu_O_の構造解析
-
a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
-
GHz帯域用CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の磁気特性
-
CoFeAlO薄膜のGHz帯域の磁気特性
-
CoFeAlO薄膜を用いた高周波チョークコイル
-
2p-SB-31 (La, Ca)MnO_3の磁性
-
1J15 共沈法による非化学量論ペロブスカイト (Ln_A_x)_MnO_ の合成
-
4p-AD-4 Nb-Wブロンズにおける長周期構造の1MV高分解能電顕像観察
-
マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(セラミックスインテグレーション)
-
エピタキシャルSnO_2ルチル薄膜中の欠陥構造の透過型電子顕微鏡研究
-
エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
-
3A02 ZnO 単結晶の表面構造と電子状態
-
3A02 酸化亜鉛単結晶の表面観察
-
3A09 MBE 法による炭酸系化合物 (Ba_xSr_)_2Cu_O_(CO_3)_ 薄膜の作製
-
2H15 有機単分子膜を用いたハイドロキシアパタイト核形成の制御
-
3D22 ICTS 信号と粒界準位
-
3D18 SrTiO3 セラミックスの粒界特性 : 添加物効果
-
3D28 La 系超伝導体の希土類添加効果
-
26p-PSB-26 Y-Sr-Cu-O-Co_3の超伝導
-
3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
-
3D21 光 ICTS による BeO 添加 SiC セラミックスの粒界評価
-
3C32 層状ペロブスカイト化合物の構造と物性
-
30a-M-1 高圧相並びに常圧相窒化ホウ素のTEM-EELSによる観察
-
26p-YS-8 LiMn_2O_4のフェルベイ転移
-
23aPS-14 (La,Sr)_2(Cu,M)O_4の物性(M=Ti, Ir)
-
2C21 BaTiO_3-Nb_2O_5-CoO 系における焼結挙動と特性
-
MBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造と表面構造
-
3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
-
26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
-
26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
-
2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
-
27p-PS-75 高温超伝導体 YBCO の酸素原子の HRTEMによる直接観察
-
30a-L-11 超高分解能電子顕微鏡による高温超電導体の酸素の直接観察
-
25p-Q-1 1.3MeV超高分解能電子顕微鏡によるSi中の微小欠陥の観察
-
25a-Q-7 超高分解能超高圧電子顕微鏡によるセラミックス内酸素の直接観察
-
5a-ZA-10 Feを含むBi層状酸化物の作製条件と結晶構造
-
12p-PSA-59 炭酸基を含むT1系超伝導体の超構造
-
ゲルマン酸鉛Pb_5Ge_3O_11の準安定相の構造
-
12p-PSA-54 炭酸基を含む新しい超伝導体(Bi_Pb_x)_2Sr_Cu_(CO_3)_nO_(N=1, 2, 3)
-
30p-PSA-32 炭酸基を含む新しい銅酸化物超伝導体の結晶構造
-
31a-L-4 新しい高圧安定超伝導体(Cu, S)Sr_2Ca_Cu_nO_y(n=3-7)
-
4a-YD-10 新超伝導体Y_Ca_xSr_2AlCu_2O_の高圧合成
-
22aSG-12 La_Sr_x(Cu,M)O_4の物性(M=Ti,Co,Ni)
-
4p-M-13 400kV高分解能分析電子顕微鏡の応用I : 高分解能観察
-
3a-PS-28 炭酸基を含む高温超伝導体の高圧合成II
-
28p-PSA-17 炭酸基を含む水銀系新超伝導体 HgBa_2Sr_2Cu_2O_(CO_3)
-
28p-PSA-16 炭酸基を含む高温超伝導体の高圧合成
-
12p-PSA-56 高温超伝導体の高圧合成 II
-
1E24 ZnO の HIP
-
マイクロ波・ミリ波セラミックスインテグレーション (特集 セラミックスインテグレーション)
-
3A03 PLZT 系セラミックスの圧電特性への焼結条件の影響
-
圧電体セラミックス : PZT の基礎と応用
-
4a-LT-1 La_Ca_xMnO_の熱起電力
-
1p-BJ-16 La_0.8Ca_0.2MnO_3+y の電気伝導
-
H_2Oをふくむ(H,(C))_nBa_2Ca_2Cu_3O_y新高温超伝導体の低温電子顕微鏡観察
-
3D05 ローカルエピタキシャル成長を利用した単配向 Bi 層状強誘電体薄膜の低温合成
-
新しい薄膜モジュールにおける配線接続技術(セラミックスインテグレーション)
-
収束イオンビーム法による薄膜受動集積回路の局所微小領域観察
-
26a-YC-1 Cr及びVを含む新しい銅酸化物超伝導体
-
電子線照射によって形成される水酸アパタイト{100}面の終端構造
-
24aPS-32 (La, Sr)_2(Cu, Ir)O_4の結晶構造及び物性
-
28p-PSA-75 LaYbO_3のAサイト置換効果
-
4p-M-14 400kV高分解能分析電子顕微鏡の応用II : EDSとEELS分析
-
2a-BF-13 Nb_2O_5-WO_3 系化合物における短距離規則度の高分解能電顕像観察
-
カチオン置換されたリチウムマンガンスピネルのEELS分析
-
29p-L-3 ダイヤモンド型構造における多重双晶粒子のTEM観察
-
13p-T-2 六方晶アルミン酸バリウムの欠陥構造解析
-
29p-L-2 収束電子線回折と高分解能電顕の併用による結晶構造解析
-
31a-M-12 β-アルミナ型カリウム・フェライトからの電子線照射によるマグネタイト生成過程の高分解能電顕観察
-
30p-M-6 収束電子線回折と高分解能電顕による結晶構造解析
-
30a-M-3 分析電顕による微小領域での元素分析I : セラミックス粒界への応用
-
29a-P-11 Si_7La_4(O,N)_結晶の1MV高分解能電顕像
-
3a-PS-36 無限層化合物の高圧合成
-
10a-N-3 磁鉄鉱中の格子欠陥の電顕格子像による観察
-
(Nd, Sr, Ca)_3Cu_2O_6の合成と構造
-
30p-WC-7 Y_Ca_xSr_2GaCu_2O_(0≤x≤1.0)の高圧合成
-
新超伝導体BSr_2Ca_Cu_nO_(n=3〜5)の高圧合成と超伝導特性
-
31a-L-3 (Sr, Ca)_Cu_nO_yの高圧合成と超伝導特性
-
3a-PS-26 炭酸基を含む新超伝導体(Cu_C_)_2Ba_3Ca_Cu_nO_の高圧合成と超伝導特性
-
11p-S-16 酸素欠損をもつペロブスカイト型誘電性半導体の電気伝導
-
6p-H-4 1000KV超高分解能電子顕微鏡による結晶格子像
-
リン酸基を含む新超伝導体の高圧合成
-
9p-Z-3 β-Al_2O_3結晶の高分解能電顕像における2重回折効果
-
5a-P-11 V_7S_8の電顕格子像のコントラスト
-
11p-J-9 Intersecting Kikuchi Line法によるMn_Oの結晶構造因子(002)の測定
-
4a-A-13 Critical Voltage法によるMn_Oの(200)結晶構造因子の測定
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク