3C32 層状ペロブスカイト化合物の構造と物性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本セラミックス協会の論文
- 1991-05-22
著者
-
田中 順三
無機材研
-
井川 博行
東工大工
-
大橋 直樹
東工大
-
田中 滋
(株)日立製作所日立研究所無機材料グループ
-
秋田 千芳
太陽誘電
-
田中 滋
日立製作所
-
福長 脩
東工大工
-
秋田 千芳
太陽誘電(株)
-
寺本 吉伸
東工大
関連論文
- 2J16 ハイドロキシアパタイト/コラーゲン複合体のエージングと架橋による物性変化
- 生体吸収性材料 (Hydroxyapatite/Collagen) による骨再建(第1報)整形外科及び口腔領域における骨再建の試み
- 1C11 2 成分系テルライトガラスの組成および温度による構造変化 [3]
- 2p-SB-31 (La, Ca)MnO_3の磁性
- 1p-A-5 PLZTの相転移
- 3A02 ZnO 単結晶の表面構造と電子状態
- 3A02 酸化亜鉛単結晶の表面観察
- 2H15 有機単分子膜を用いたハイドロキシアパタイト核形成の制御
- 3D22 ICTS 信号と粒界準位
- 3D18 SrTiO3 セラミックスの粒界特性 : 添加物効果
- 3C30 YBa_2Cu_4O_ の合成と物性
- 3D28 La 系超伝導体の希土類添加効果
- 3A10 チタン酸ジルコニウム固溶体のマイクロ波誘電性
- 3A09 ZrTiO4-A2O3-B2O5 (A, B)=(Y, Nb), (In, Ta) 系固溶体のマイクロ波誘電性
- 3A08 チタン酸ジルコニウム固溶体格子定数の組成と熱処理条件依存性
- BeO添加SiCセラミックスの2次イオン質量分析法による添加物の解析
- プラセオジム及びコバルト添加酸化亜鉛バリスターのオージェ電子スペクトル
- セラミックス粒界の組成と電子状態
- 3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
- 3D21 光 ICTS による BeO 添加 SiC セラミックスの粒界評価
- 3C32 層状ペロブスカイト化合物の構造と物性
- 3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
- 26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
- 26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
- 2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
- 円管内脈動流れの乱れに関する実験的研究
- 1E11 ラジカル照射イオンビームスパッタ法による酸化亜鉛薄膜へのアクセプタドーピング
- マンガン及びコバルト酸化物を添加したビスマスドープ酸化亜鉛バリスター単一粒界の電気的計測と組成分布
- Pb(NiW)_<l;1/2>O_3の誘電異常 : 誘電体
- 鉛イオンを含んだPerovskite型複合組成酸化物の高圧合成 : 誘電体
- 1E24 ZnO の HIP
- 3A03 PLZT 系セラミックスの圧電特性への焼結条件の影響
- 2C23 Mg-Ti-O 系セラミックスの焼結とその電気的性質
- 15 Mn鉱物と共生するハロイサイトの精製
- ZnOセラミックスの電気抵抗と焼結性に及ぼすAl_2O_3, MgO, SiO_2の添加効果
- 4a-LT-1 La_Ca_xMnO_の熱起電力
- 1p-BJ-16 La_0.8Ca_0.2MnO_3+y の電気伝導
- 「第4回インテリジェント材料シンポジウム」に参加して
- Bサイト比率を変化させたPb(Mg, Nb)O_3 系強誘電性セラミックス
- 28a-ZC-5 PLZTの光学的研究
- 電子線照射によって形成される水酸アパタイト{100}面の終端構造
- セラミックス抵抗体式SF_6ガス絶縁NGR(中性点接地抵抗器)の適用と監視
- 500kV-765kV用タンク形避雷器とUHF法による部分放電診断
- 11p-S-16 酸素欠損をもつペロブスカイト型誘電性半導体の電気伝導
- C-4-1 28Gbls直接変調InGaAIAs ACPM DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)