ZnOセラミックスの電気抵抗と焼結性に及ぼすAl_2O_3, MgO, SiO_2の添加効果
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概要
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The effect of metal oxide additives;Al_2O_3, MgO and SiO_2 to ZnO ceramics was investigated from the point of view of both the electrical resistivity and the sintering property. Doping of Al_2O_3 to ZnO ceramics with 5.0-20.0 mol% caused on increase of the electrical resistivity with increasing the concentration of Al_2O_3, but also caused deterioration of density after sintering. Temperature coefficient of resistivity of ZnO ceramics doped with over 5.0 mol% MgO changed from a negative to a positive value. Sintering density of ZnO ceramics was improved by small doping of SiO_2・ZnO ceramics including above 3 kinds of additives:Al_2O_3, MgO and SiO_2 with suitable controlled concentration respectively, showed good electrical performance (resistivity, linearity, temperature coefficient) as a linear resistor. The microstructure of this ZnO ceramics were mainly formed by ZnO, Zn-Al-O complex oxides and pores.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2000-01-01
著者
-
庄司 守孝
(株)日立製作所日立研究所
-
白川 晋吾
日立製作所
-
山田 誠一
(株)日立製作所日立研究所
-
田中 滋
(株)日立製作所日立研究所無機材料グループ
-
田中 滋
(株)日立製作所日立研究所
-
白川 晋吾
(株)日立製作所国分工場
-
田中 滋
日立
-
田中 滋
(株)日立製作所国分工場
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