マンガン及びコバルト酸化物を添加したビスマスドープ酸化亜鉛バリスター単一粒界の電気的計測と組成分布
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
セラミックス粒界界面の機能を利用したZnOバリスターの非線形な電圧-電流(V-I)特性の発現機構を理解するため, 一つ一つの粒界に着目した電気的測定と, 粒界ごとの組成分布分析を行った. 走査型電子顕微鏡(SEM)内部に2本のマイクロ探針を組み込んだ粒界特性解析装置を開発し粒界ごとのV-I特性を調べた結果, 粒界によって特性がばらつくことを見いだした. 又, オージェ電子分光法(AES)による深さ方向分析の結果, 添加物が複雑な分布形態を示すことを明らかにした. 電気的特性結果から特にMn酸化物やCo酸化物の添加物効果を検討し, これらの元素が粒界のキャリヤートラップ準位の形成に重要な関係があることを示した. 粒界界面における化学反応の視点から, バリスター特性の不均一性と組成分布, 添加物の役割との関連を考察した.
- 社団法人日本分析化学会の論文
- 1998-12-05
著者
-
大橋 直樹
九州大学大学院量子プロセス理工学
-
田中 滋
(株)日立製作所日立研究所無機材料グループ
-
大橋 直樹
九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構
-
高橋 研
(株)日立製作所日立研究所
-
大橋 直樹
東京工業大学工学部無機材料工学科
-
田中 滋
(株)日立製作所日立研究所
-
田中 滋
日立 日立研
-
田中 滋
(株)日立製作所国分工場
関連論文
- 二次イオン質量分析を用いた酸化亜鉛薄膜のキャラクタリゼーション
- CaZrO_3ならびに(Ca, Ba)(Zr, Ti)O_3セラミックスの焼結・電気特性に及ぼす原料粉体粒度の影響
- PLD法により作製された酸化亜鉛薄膜中の酸素拡散
- PL測定による酸化亜鉛ヘテロ構造薄膜評価(セラミックスインテグレーション)
- 酸化亜鉛の欠陥構造と物性 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- パルス変調高周波誘導プラズマの発生と材料プロセスへの応用 (特集 外場制御反応プロセス技術の新展開(2))
- La及びHo添加BaTiO_3の電気特性に及ぼす微構造と格子欠陥
- 希土類添加BaTiO_3の酸素拡散と欠陥化学(セラミックスインテグレーション)
- 白金マスクをパターニングしたZn(0001),(0001)極性表面の化学エッチング挙動(セラミックスインテグレーション)
- チタン酸バリウムペロブスカイト中のNiイオン拡散
- 酸化亜鉛のc面に成長させた窒化インヂウム薄膜の結晶性と極性
- 酸化物セラミックス中の拡散現象と格子欠陥
- 戦略的開発研究と実用化 活性粉体の新しい合成法・修飾法--酸化亜鉛粉体を例に
- 透明導電性酸化物に微細金属配線を配置したコプレーナ線路に関する検討
- 3D22 ICTS 信号と粒界準位
- BeO添加SiCセラミックスの2次イオン質量分析法による添加物の解析
- プラセオジム及びコバルト添加酸化亜鉛バリスターのオージェ電子スペクトル
- セラミックス粒界の組成と電子状態
- 3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
- 3D21 光 ICTS による BeO 添加 SiC セラミックスの粒界評価
- 3C32 層状ペロブスカイト化合物の構造と物性
- マッハツェンダー型干渉計により測定したPZTセラミックスの電界誘起歪における非180度ドメインの寄与
- 円管内脈動流れの乱れに関する実験的研究
- 酸化亜鉛へのドーピング技術
- SiC-ZrB_2導電性複合セラミックスの抵抗率に及ぼすZrB_2分散状態の影響
- SiC_ZrB_2系導電性複合セラミックスの抵抗率
- SiC系導電性複合セラミックスの特性
- マンガン及びコバルト酸化物を添加したビスマスドープ酸化亜鉛バリスター単一粒界の電気的計測と組成分布
- 熱処理によるガラス-フェライト接合体の応力緩和
- FB型ベルト超高圧装置における高温での圧力補正
- ZnOセラミックスの電気抵抗と焼結性に及ぼすAl_2O_3, MgO, SiO_2の添加効果
- 金属アルコキシドからの非晶質酸化バナジウムの合成
- 「第4回インテリジェント材料シンポジウム」に参加して
- Bサイト比率を変化させたPb(Mg, Nb)O_3 系強誘電性セラミックス
- 波士頓見聞録
- 変調構造酸化亜鉛とその電気伝導性