変調構造酸化亜鉛とその電気伝導性
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概要
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Modulation-doped ZnO multi-layer structures were synthesized and their electrical properties were investigated. First, Al<SUB>x</SUB>Mg<SUB>y</SUB>Zn<SUB>l-x-y</SUB>O films were prepared as carrier injection layers for modulation doping. The films were deposited on sapphire (1120) substrates by pulsed laser deposition using Nd : YAG laser with the wavelength of 266 nm. It is confirmed that the modification of a band gap and heavy electron doping can be simultaneously achieved in the films. Secondly, modulation-doped multi layer [ZnO/Al<SUB>0.01</SUB>Mg<SUB>0.05</SUB>Zn<SUB>0.94</SUB>O]<SUB>10</SUB> was grown on a sapphire (1120) subatrate. X-ray diffraction pattern of the film showed the satellite peaks corresponding to the multi-layer period. Hall mobility of the film was 43 cm<SUP>2</SUP>/V⋅n, which was close to that of Al<SUP>x</SUP>Mg<SUP>y</SUP>Zn<SUP>l-x-y</SUP>O single-layer.
- 社団法人 粉体粉末冶金協会の論文
- 2003-04-15
著者
-
竹中 正
東京理科大学理工学部
-
羽田 肇
National Institute for Materials Science
-
羽田 肇
物質・材料研究機構
-
坂口 勲
物質・材料研究機構
-
大橋 直樹
物質・材料研究機構
-
羽田 肇
無機材質研究所
-
安達 裕
物質・材料研究機構物質研究所
-
安達 裕
物質・材料研究機構物質研究所 電子材料ブループ
-
両見 春樹
物質・材料研究機構
-
両見 春樹
東京理科大学理工学部電気電子情報工学科
-
竹中 正
東京理科大学理工学部電気工学科
-
羽田 肇
National Institute For Materials Science (nims)
-
両見 春樹
九州大学総合理工学府
-
大橋 直樹
九州大学大学院量子プロセス理工学
-
竹中 正
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
大橋 直樹
九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構
-
羽田 肇
九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構
-
坂口 勲
科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ
-
Takenaka Toshifumi
School Of Medicine Yokohama City University
-
Takenaka Tadashi
Department Of Electrical Engineering Science University Of Tokyo
-
安達 裕
物質・材料研究機構 物質研
-
竹中 正
東京理科大学
-
安達 裕
物質・材料研究機構
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