MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とその評価(2)
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概要
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半導体メモリの高集積化に伴い、これまで半導体メモリのキャパシタとして用いられきたSiO_2(比誘電率ε_r〜3.8)に変わる薄膜材料が求められている。その候補として、強誘電体であるPbTiO_3と反強誘電体であるPbZrO_sの固溶体であるPZT(PbZr_xTi_<1-x>O_3)の薄膜化が研究されてきた。また、強誘電体薄膜は、赤外線を感知する焦電センサ、マイクロマシンの駆動に使われる圧電アクチュエータなどへの応用が広く行われている。本研究では前回に続き、薄膜作製において段差被膜性に優れ、製膜堆積速度が速く、工業上量産性に優れたMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて、ペロブスカイト構造のPZT系薄膜を作製して、その物理的・電気的な評価を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
竹中 正
東京理科大学理工学部
-
竹中 正
東京理科大学理工学部電気電子情報工学科
-
竹中 正
東京理科大学理工学部電気工学科
-
宮田 和雄
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
中澤 秀彦
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
紙透 洋一
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
竹中 正
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
Takenaka Tadashi
Department Of Electrical Engineering Science University Of Tokyo
-
竹中 正
東京理科大学
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