竹中 正 | 東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

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概要

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関連著者

• 竹中 正

  東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• 竹中 正

  東京理科大学理工学部

• 竹中 正

  東京理科大学理工学部電気工学科

• 竹中 正

  東京理科大学理工学研究科電気工学専攻

• Takenaka Tadashi

  Department Of Electrical Engineering Science University Of Tokyo

• Takenaka Toshifumi

  School Of Medicine Yokohama City University

• 竹中 正

  東京理科大学

• 永田 肇

  東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• TAKENAKA Tadashi

  Faculty of Science and Technology Tokyo University of Science

• 永田 肇

  東京理科大学

• 晝間 裕二

  東京理科大学・理工

• 永田 肇

  東京理科大学・理工

• 竹中 正

  東理大理工

• 安達 裕

  物質・材料研究機構物質研究所 電子材料ブループ

• 羽田 肇

  無機材質研究所

• 晝間 裕二

  東理大理工

• 永田 肇

  東理大理工

• 安達 裕

  物質・材料研究機構物質研究所

• 羽田 肇

  National Institute for Materials Science

• 羽田 肇

  National Institute For Materials Science (nims)

• 両見 春樹

  九州大学総合理工学府

• 羽田 肇

  物質・材料研究機構

• 坂口 勲

  物質・材料研究機構

• 大橋 直樹

  物質・材料研究機構

• 坂口 勲

  物材機構

• 高橋 剛士

  東京理科大

• 高橋 剛士

  東京理科大学・理工学部

• 羽田 肇

  九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構

• 坂口 勲

  科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ

• 大橋 直樹

  物材機構

• 羽田 肇

  物材機構

• 安達 裕

  物材機構物質研

• 両見 春樹

  物質・材料研究機構

• 安達 裕

  東京理科大学理工学部電気工学科

• 両見 春樹

  東京理科大学理工学部電気電子情報工学科

• 根本 正博

  東理大理工

• 青柳 倫太郎

  東理大理工

• 矢野 譲

  東京理科大

• 武田 厳太郎

  東京理科大

• 宮田 和雄

  東京理科大学理工学研究科電気工学専攻

• 中澤 秀彦

  東京理科大学理工学研究科電気工学専攻

• 大橋 直樹

  九州大学大学院量子プロセス理工学

• 大橋 直樹

  九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構

• Takenaka Tadashi

  Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo

• 安達 裕

  物質・材料研究機構 物質研

• 安達 裕

  物質・材料研究機構

• 宮山 勝

  東大先端研

• 鷹木 洋

  (株)村田製作所

• NAGATA Hajime

  Faculty of Science and Technology Tokyo University of Science

• 米田 安宏

  原子力機構

• 安達 裕

  物質・材料研究機構 物質研究所

• 坂口 勲

  物質・材料研究機構物質研究所

• 坂口 勲

  無機材質研究所

• 田中 順三

  無機材質研究所

• 羽田 肇

  無機材研

• 米田 安宏

  原子力機構・放射光科学研究ユニット

• 大垣 武

  物質・材料研究機構

• 加賀田 博司

  パナソニック エレクトロニックデバイス(株)

• 宮山 勝

  東京大学先端科学技術研究センター

• 疋田 康平

  東理大理工

• 竹中 正

  東理大・理工

• 永田 肇

  東理大・理工

• 晝間 裕二

  東理大・理工

• 鈴木 宗泰

  東京理科大学

• 吉井 一滋

  東理大理工

• 松本 研司

  東理大理工

• 吉田 武尊

  東理大理工

• 牧内 洋一

  東理大理工

• NAKANO Yukie

  TDK Corporation

• NOMURA Takeshi

  TDK Corporation

• TAKENAKA Tadashi

  Tokyo University of Science

• 亀原 伸男

  Fujitsu Laboratories Ltd.

• 竹中 正

  Tokyo University of Science

• 篠崎 和夫

  Tokyo Institute of Technology

• 米澤 正智

  NEC Corporation

• 大瀧 倫卓

  Kyushu University

• 両見 春樹

  東理大

• 両見 春樹

  東理大院

• 竹中 正

  東理大院

• 新屋 隆

  東京理科大

• 森田 慎一

  東京理科大

• 安達 裕

  無機材研

• 坂口 勲

  無機材研

• 小松 学

  無機材研

• 荻野 剛士

  九大

• 川高 伸人

  東京理科大学・理工学部

• 坂口 勲

  科学技術振興事業団戦略的基礎研究プロジェクト

• KOMURA Kyo

  Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo

• SAKATA Koichiro

  Faculty of Science and Technology, Science University of Tokyo

• 紙透 洋一

  東京理科大学理工学研究科電気工学専攻

• 石宇 武彦

  東京理科大学理工学部

• 友成 肇

  東京理科大学理工学部

• 坂田 好一郎

  東京理科大学理工学部

• 田中 健一

  東京理大

• 崔 勝哲

  Ajou大

• 竹中 正

  東京理大

• 青木 伸一

  東大先端研

• 柳田 博明

  東大先端研

• 宮山 勝

  東大 先端科学技術研究セ

• 鷹木 洋

  (株)村田製作所技術・事業開発本部材料開発統括部

• 大垣 武

  Faculty Of Industrial Science And Technology Tokyo University Of Science

• 坂口 勲

  物質・材料研究機構物質研究所電子セラミックスグループ

• 田中 順三

  物質・材料研究機横物質研究所

• 坂口 勲

  (独)物質・材料研究機構 光材料センター光電機能グループ

• 田中 健一

  東京理科大学工学部第一部経営工学科

• Miyayama Masaru

  Research Center For Advanced Science And Technology (rcast) The University Of Tokyo

• 武田 厳太郎

  東京理科大学・理工学部

• Sakata K

  Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo

• 竹中 正

  東京理科大学電気電子情報工学科

• Komura K

  Hitachi Medical Corp. Chiba Jpn

• Sakata Koichiro

  Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo

• Sakata Koichiro

  Department Of Electrical Engineering Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo

• Sakata Koichiro

  Depart. Elect. Eng. Fac. Science And Technology Science University Of Tokyo

• Sakata Koichiro

  Faculty Of Science Technology Science University Of Tokyo

• Nagata Hajime

  Faculty Of Science And Technology Science University Of Tokyo

• 宮山 勝

  東京大学先端科学技術研究セソター

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著作論文

• 超音波圧電デバイスの無鉛材料化(環境問題と音響技術)
• 非鉛系圧電セラミックスの研究開発動向と将来展望
• PLD法により作製された酸化亜鉛薄膜中の酸素拡散
• 圧電体の電気機械結合係数測定法に試料形状が与える影響 : 電極面が傾いている場合
• 圧電体の電気機械結合係数測定法に試料形状が与える影響
• 変調構造酸化亜鉛とその電気伝導性
• 高温圧電センサ応用にむけた強誘電体セラミックスの開発 (特集 高温電子セラミックス)
• 26aYJ-5 Bi_Na_TiO_3のLi置換効果(誘電体(ペロブスカイト),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 非鉛系圧電セラミックスの最近の研究開発状況 (特集 環境とセラミックス)
• 非鉛系圧電セラミックスの研究開発状況とその課題 (特集 非鉛系圧電材料(1))
• 電子セラミックスの最先端研究動向と将来展望
• 1P1-18 KNbO_3系強誘電体セラミックスのシェアモード圧電特性(ポスターセッション)
• 1P1-14 (Bi_Na_)TiO_3-(Bi_K_)TiO_3-BaTiO_3三成分系の相関系と電気的諸特性(ポスターセッション)
• 1P1-9 粒子配向型(Bi_K_)TiO_3-BaTiO_3 セラミックスの電気的諸特性(ポスターセッション)
• 2-01P-04 粒子配向型(Bi_K_TiO_3-BaTiO_3系セラミックスの作製とその圧電的諸特性(ポスターセッション 2)
• 1-INV 非鉛系圧電セラミックスの研究開発状況と課題(招待講演 1)
• 高い機械的品質係数を持つビスマス層状構造強誘電体セラミックス
• P3-18 (Bi_Na_)TiO_3-(Bi_K_)TiO_3系非鉛圧電セラミックスの電気的諸特性(ポスターセッション3(概要講演))
• P3-13 BiおよびMn同時添加によるKNbO_3強誘電体セラミックスの圧電的性質(ポスターセッション3(概要講演))
• 非鉛系圧電材料の研究開発動向
• P1-28 (Bi_Na_)TiO_3-(Bi_K_)TiO_3-BaTiO_3三成分系非鉛圧電セラミックス(ポスターセッション1(概要講演))
• セラミックスの電磁気的・光学的性質 : 誘電的性質誘電性
• Number of Dielectric Layers Dependence of Dielectric Properties and Residual Stress of Multilayer Ceramic Capacitors with Ni Electrodes
• 2J18 NO_2 ガスを用いた PLD 法による ZnO 薄膜の作製
• 2J15 PLD 法による Al を添加した Mg_xZn_O 薄膜の構造と電気特性
• 1L06 環境を配慮した非鉛系圧電材料の現状
• IFFF2002(ISAF XIII/ISIF XIV/FMA XIX)
• PL測定による酸化亜鉛ヘテロ構造薄膜評価(セラミックスインテグレーション)
• ビスマス層状構造強誘電体セラミックスの電気的特性に及ぼす粒子配向の効果
• 環境に優しい非鉛系圧電セラミックス (特集 21世紀に開花するニューマテリアルとそのテクノロジーへの招待--東京理科大学における先端材料研究)
• 3F08 粒子配向型ビスマス層状構造強誘電体の圧電異方性
• 3A14 (Bi_Na_)TiO_3 セラミックスの微細構造に及ぼす添加物効果
• 第3回アジア強誘電体会議(AMF-3)
• ビスマス層状構造強誘電体セラミックスの圧電的諸特性
• ElectroCERAMICS VII
• 非鉛系圧電材料の研究動向--非鉛系圧電セラミックスの実用化に向けて (特集:環境にやさしい非鉛系圧電材料--セラミックスを中心として)
• 3A08 酸化物薄膜界面での酸素拡散
• 1D03 ビスマス層状構造強誘電体 Sr_Bi_Ta_xO_ の巨大異方性
• PA-13 斜め櫛型電極屈曲変位型圧電アクチュエータ
• 第2回強誘電体アジア会議(AMF-2)
• ISAF XI '98/ECAPD IV '98/Electroceramics VI '98
• 第8回日米誘電体・圧電体セラミックスセミナー
• 第9回強誘電体国際会議 (IMF-9)
• Lead-Free Piezoelectric Ceramics of (Bi_Na_)TiO_3-1/2(Bi_2O_3・Sc2_O_3) System
• PLZTセラミックスとAg電極間の反応及び拡散
• 焦電特性測定法の標準化のための調査研究
• 非鉛系圧電セラミックス
• 圧電・焦電セラミックス (ペロブスカイト関連化合物 機能の宝庫) -- (材料応用)
• Possibility of New Mixed Bismuth Layer-Structured Ferroelectrics
• 第7回日米誘電体圧電体セラミックスセミナ
• 西安会議(AMF-1 & ICECM-ICSA '95)
• MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とその評価(2)
• MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とその評価
• 第3回ヨーロッパセラミックス会議
• データベース利用 - 私の場合 -
• 第2回極性誘電体ヨーロッパ会議 (ECAPD-2)
• 3A22 MOCVD 法による PZT 系薄膜の作製とその評価
• 3D33 PbZrO_3-PbZn_Nb_O_3-Pb(Bi_Li_)TiO_3 の圧電特性

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