MOCVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作製とその評価
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概要
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87年に米国のクリサリス社から、512ビットのPZT(PbZr_xTi_<1-x>O_3)[PZT(X/1-X)]系強誘電体薄膜を用いた不揮発性メモリの発表が行われて以来、半導体集積メモリへの応用を目的とした強誘電体薄膜の研究が盛んになっている。さらに、強誘電体薄膜はマイクロアクチュエータや焦電赤外線センサなどへの応用が可能である。本研究では段差被覆性に優れ、製膜速度が速いなどの将来の工業的量産に適しているMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用い、代表的な強誘電体であるPZT系強誘電体薄膜を作製し、電子デバイスへの応用に必要な物理的および電気的特性を評価した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
竹中 正
東京理科大学理工学部
-
竹中 正
東京理科大学理工学部電気電子情報工学科
-
竹中 正
東京理科大学理工学部電気工学科
-
宮田 和雄
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
中澤 秀彦
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
竹中 正
東京理科大学理工学研究科電気工学専攻
-
Takenaka Tadashi
Department Of Electrical Engineering Science University Of Tokyo
-
竹中 正
東京理科大学
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