MBE法による炭酸系化合物(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>薄膜の作製
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概要
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本研究では, MBE法を用いて炭酸系超伝導体(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>の合成を試みた.真空チャンバ内にCO_2ガス及び酸化源としてNO_2ガスをそれぞれ導入することによりSrTiO_3(001)基板上に(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>(x≥0.3)を成長させることができた.SrTiO_3(001)基板上に成長した薄膜はc軸が基板表面に垂直で, 面内の方位関係は基板〔110〕方向に沿って薄膜〔100〕がエピタキシャル成長していた.NdGaO_3及び(LaAlO_3)_<0.3>(SrAl_<0.5>Ta_<0.5>O_3)_<0.7>基板上にも同様な条件で成膜したが, エピタキシャル薄膜は得られなかった.いずれの薄膜も電気抵抗特性は半導体的であり, 超伝導特性は示さなかった.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-03-01
著者
-
羽田 肇
National Institute for Materials Science
-
羽田 肇
無機材質研究所
-
安達 裕
物質・材料研究機構物質研究所
-
安達 裕
物質・材料研究機構物質研究所 電子材料ブループ
-
坂口 勲
無機材質研究所
-
松井 良夫
無機材質研究所
-
高橋 紘一郎
無機材質研究所
-
高橋 紘一郎
無機材研
-
羽田 肇
National Institute For Materials Science (nims)
-
安達 裕
無機材質研究所
-
鶴田 忠正
無機材質研究所
-
羽田 肇
九州大学大学院量子プロセス理工学:物質材料研究機構
-
坂口 勲
科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ
-
松井 良夫
科学技術庁・無機材質研究所
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