MBE法による炭酸系化合物(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>薄膜の作製

スポンサーリンク

概要

論文の詳細を見る
本研究では, MBE法を用いて炭酸系超伝導体(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>の合成を試みた.真空チャンバ内にCO_2ガス及び酸化源としてNO_2ガスをそれぞれ導入することによりSrTiO_3(001)基板上に(Ba_xSr_<1-x>)_2Cu_<1+y>O_<2+δ>(CO_3)_<1-y>(x≥0.3)を成長させることができた.SrTiO_3(001)基板上に成長した薄膜はc軸が基板表面に垂直で, 面内の方位関係は基板〔110〕方向に沿って薄膜〔100〕がエピタキシャル成長していた.NdGaO_3及び(LaAlO_3)_<0.3>(SrAl_<0.5>Ta_<0.5>O_3)_<0.7>基板上にも同様な条件で成膜したが, エピタキシャル薄膜は得られなかった.いずれの薄膜も電気抵抗特性は半導体的であり, 超伝導特性は示さなかった.
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-03-01

著者

関連論文

もっと見る

スポンサーリンク