ZnO 粒子の酸素拡散と欠陥構造(<小特集>粉体小特集)
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概要
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Oxygen diffusion in polycrystalline ZnO particles has been measured by the solid-gas isotope exchange technique using O^<18> as a tracer at temperatures in the range 689-1290℃. A new method of calculating the volume diffusion from the exchange data of particles was developed, and the plausibility was discussed experimentally. The oxygen diffusion in ZnO was characterized by three regions having the activation energies of 22.1, 63.2 and 172.7 kcal/mol. On the basis of the results, it is suggested that the origin of semiconducting behavior of ZnO is due to the electrons trapped around oxygen vacancies created at elevated temperatures.
- 社団法人日本材料学会の論文
- 1982-09-15
著者
-
小川 誠
工芸大学工学部工業化学科
-
小川 誠
東京工芸大工
-
羽田 肇
National Institute for Materials Science
-
羽田 肇
無機材質研究所
-
掛川 一幸
所千葉大学工学部
-
山村 博
神奈川大学工学部応用化学科
-
白崎 信一
無機材質研
-
小川 誠
東京工芸大 工
-
守吉 佑介
法政大 マイクロ・ナノテクノロジー研究セ
-
守吉 佑介
法政大学
-
山村 博
無機材質研究所
-
守吉 祐介
無機材質研究所
-
真鍋 和夫
東京工芸大学
-
眞鍋 和夫
東京工芸大学工学部工業化学科
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