BeO添加SiCセラミックスの2次イオン質量分析法による添加物の解析

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概要

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• The elemental distribution in BeO-doped pressureless sintered SiC ceramics, with high thermal conductivity (270 W/m・K) and high electrical resistivity (4×10^<11>Ω・m) was investigated by secondary ion mass spectroscopy (SIMS). Intense image of oxygen was observed at the grain boundaries and weak image of Be was detected very close to the positions of oxygen. The intensity contrast of these two elements do not always coincide at all positions. These result suggest that the additive BeO exists at grain boundaries as BeO and/or nonstoichiometric Be oxide.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 1995-08-01

著者

• 坂口 勲

  無機材質研究所

• 安富 義幸

  (財)ファインセラミックスセンター

• 沢井 裕一

  (株)日立製作所日立研究所

• 安富 義幸

  (株)日立製作所日立研究所エネルギー素子研究部

• 田中 滋

  (株)日立製作所日立研究所無機材料グループ

• 宮田 素之

  (株)日立製作所日立研究所

• 高橋 研

  (株)日立製作所日立研究所

• 坂口 勲

  科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ

• 田中 滋

  (株)日立製作所日立研究所

• 宮田 素之

  (株)日立製作所日立研究所:(現)ファインセラミックス技術研究組合シナジーセラミックス研究所

• 田中 滋

  日立 日立研

• 田中 滋

  (株)日立製作所国分工場

• 沢井 裕一

  (株)日立製作所 日立研究所

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