コンビナトリアルイオン注入装置の開発と応用
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-09-01
著者
-
坂口 勲
物材機構
-
坂口 勲
無機材質研究所
-
坂口 勲
(独)物質・材料研究機構
-
坂口 勲
物質・材料研究機構物質研究所電子セラミックスグループ
-
坂口 勲
(独)物質・材料研究機構 光材料センター光電機能グループ
-
坂口 勲
科学技術庁無機材質研究所第4研究グループ
関連論文
- 二次イオン質量分析を用いた酸化亜鉛薄膜のキャラクタリゼーション
- 3L08 高純度緻密質フォルステライト焼結体の評価と物性
- 20pYG-6 軟X線吸収・発光分光によるBドープダイヤモンドの電子状態(領域8シンポジウム(主題 : Bドープダイヤモンドの超伝導と電子状態,領域8(強相関系 : 高温超伝導,強相関f電子系など))
- 25pPSA-71 軟X線吸収・発光分光法による超伝導ボロンドープダイヤモンドの電子状態(低温,領域8ポスターセッション,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- PLD法により作製された酸化亜鉛薄膜中の酸素拡散
- 19aWF-4 低エネルギー光電子分光による超伝導ボロンドープダイヤモンドの研究(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 19pYD-4 ホウ素ドープダイヤモンドのレーザー励起光電子スペクトルにみられる電子格子相互作用(光電子分光,領域5(光物性))
- 24aWA-8 硬x線光電子分光によるボロンドープ超伝導ダイヤモンド薄膜の電子状態(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-7 超伝導性ボロンドープダイヤモンド薄膜のレーザー励起光電子分光(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 24aWA-6 B-dopedホモエピタキシャルダイヤモンド薄膜の超伝導特性(ホウ素・炭素系(超伝導・四極子),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 2J18 NO_2 ガスを用いた PLD 法による ZnO 薄膜の作製
- 2J15 PLD 法による Al を添加した Mg_xZn_O 薄膜の構造と電気特性
- PL測定による酸化亜鉛ヘテロ構造薄膜評価(セラミックスインテグレーション)
- PLZTセラミックスとAg電極間の反応及び拡散
- 半導体ダイヤモンド電極の電解フッ素化溶中における陽極挙動
- 13aPS-123 CVD 気相成長ダイヤモンドにおける超伝導の発見(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- コンビナトリアルイオン注入法を用いた化学センサ修飾
- 酸化亜鉛の欠陥構造と物性 (特集 酸化亜鉛の新展開(2))
- 2L04 パルス変調 RF 熱プラズマ照射による酸化亜鉛の発光変化
- Mg-Fe-Al-O系スピネル固溶体単結晶中の酸素拡散に対する酸化-還元過程の影響
- 19aWF-3 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR II(19aWF ドープダイヤモンド,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 27aTD-8 ホウ素をドープしたダイヤモンドの^B-NMR(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 2J13 酸化亜鉛薄膜成長に関する金の効果
- 3D06 PLD 法による ZnO 薄膜の作製と評価
- La及びHo添加BaTiO_3の電気特性に及ぼす微構造と格子欠陥
- 希土類添加BaTiO_3の酸素拡散と欠陥化学(セラミックスインテグレーション)
- 白金マスクをパターニングしたZn(0001),(0001)極性表面の化学エッチング挙動(セラミックスインテグレーション)
- チタン酸バリウムペロブスカイト中のNiイオン拡散
- 3A07 チタン酸バリウム中の陽イオン拡散
- 酸化物セラミックス中の拡散現象と格子欠陥
- MBE法による炭酸系化合物(Ba_xSr_)_2Cu_O_(CO_3)_薄膜の作製
- スカンジウム, ガリウム, イッテルビウムイオンの単結晶及び多結晶イットリウムアルミニウムガーネット中への拡散
- BeO添加SiCセラミックスの2次イオン質量分析法による添加物の解析
- 27aTD-10 ダイヤモンド薄膜の超伝導特性(27aTD ホウ化物,炭化物(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 振動分光法によるダイヤモンド表面での反応機構の解明
- 立方晶窒化ホウ素(cBN)単結晶の表面構造と水素処理
- コンビナトリアルイオン注入装置の開発と応用
- MgO中の陽イオン拡散のシステマティックス
- CVD法による酸化亜鉛薄膜の合成 (特集 ウルツァイト化合物の合成と物性)
- イオンビームによるセラミックスの局所領域分析
- ホモエピタキシャルダイヤモンド(111)薄膜のシリコン,水素混入の酸素添加による制御
- イメージングSIMSによる界面分析
- 変調構造酸化亜鉛とその電気伝導性