Si-SiO-C 混合粉末より作製したSi_3N_4-SiC 複合セラミックスの微構造
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概要
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We investigated the Si_3N_4-SiC ceramics prepared from Si-SiO-C mixed powder compacts. Si_3N_4 matrix and SiC particles were formed during the sintering process in the ceramics. During heat treatment at 1350℃ in Ar, SiC particles were formed first and, after nitridation at 1400℃, self-composed Si_3N_4-SiC ceramics were obtained. In these ceramics, SiC particles about 100 nm in diameter were dispersed in Si_3N_4 matrix particles. Yttrium which originate from sintered aide (Y_2O_3) was detected at the grain boundary between Si_3N_4 matrix and SiC particles intragranularly dispersed in the matrix. It is suggested that the SiC particles were dispersed in the Si_3N_4 during the α→β transformation or the grain growth of Si_3N_4 grains. Thermogravimetry (TG) and differential thermal analysis (DTA) results suggested that SiO and CO gases were concerned in the formation of the SiC particles.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 1998-08-01
著者
-
安富 義幸
(財)ファインセラミックスセンター
-
沢井 裕一
(株)日立製作所日立研究所
-
安富 義幸
(株)日立製作所日立研究所エネルギー素子研究部
-
宮田 素之
(株)日立製作所日立研究所
-
金井 恒行
(株)日立製作所日立研究所
-
金井 恒行
(株)日立製作所日立研究所エネルギー素子研究部
-
宮田 素之
(株)日立製作所日立研究所:(現)ファインセラミックス技術研究組合シナジーセラミックス研究所
-
沢井 裕一
(株)日立製作所 日立研究所
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