(Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
The chemical states of (Co-Fe) -Al-O magnetic thin films with various compositional ratios were investigated by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). Samples were prepared by using inductively coupled RF sputtering. A non-reactive Ar atmosphere for both a Co-Fe alloy target and an Al_2O_3 ceramic target was used. Compositions of samples were varied to control the cathode power of the Co-Fe alloy target. Those with high (Co-Fe) / (Al-O) volume ratios exhibited excellent saturation magnetization (M_s) arising from the ideal chemical state of the non-oxidised Co-Fe alloy. Samples with low (Co-Fe) / (Al-O) volume ratios highlighted a problem that the increase in volume of the Al-O layer could cause some degree of Fe oxidation in the Co-Fe alloy, which would lead to a decrease of M_s.
- 社団法人日本セラミックス協会の論文
- 2002-07-01
著者
-
近藤 龍一
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
池田 賢司
太陽誘電株式会社
-
小林 和義
太陽誘電株式会社
-
藤本 正之
太陽誘電株式会社
-
池田 賢司
太陽誘電(株)
-
小林 和義
太陽誘電(株)
-
藤本 正之
太陽誘電(株)
-
小林 和義
太陽誘電(株)r&dセンター ワイヤレスインフォメーションネットワークgr. 先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部
-
藤本 正之
太陽誘電 R&dセ
-
近藤 龍一
太陽誘電(株)
関連論文
- FeNiSiO_2/SiO_2高抵抗磁性薄膜装荷インダクタの作製
- 高周波磁性薄膜のCu-BCB2層インダクタへの応用
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜を用いた高周波薄膜インダクタ
- 磁性薄膜装荷型インダクタを用いた薄膜PAモジュールの試作
- (Co-Fe)-Al-O薄膜の化学状態と磁気特性
- 新しい磁性薄膜インダクターの高周波への応用(セラミックスインテグレーション)
- 1D16 Co-Fe 系ナノグラニュラー磁性薄膜の高周波磁気特性
- a,b軸配向エピタキシャルBi_4Ti_3O_12基薄膜の合成と特性評価
- 移動体通信用パワーアンプへのマイクロ磁気デバイスの応用
- GHz帯域用CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の磁気特性
- CoFeAlO薄膜のGHz帯域の磁気特性
- CoFeAlO薄膜を用いた高周波チョークコイル
- CoFeSiOグラニュラー積層磁性薄膜を用いたRFインダクタの試作と評価
- 高周波セラミックスインテグレーション
- マイクロ波回路用高誘電率SrTiO_3薄膜キャパシターの作製技術(セラミックスインテグレーション)
- エピタキシャルSnO_2ルチル薄膜中の欠陥構造の透過型電子顕微鏡研究
- 高分解能透過型電子顕微鏡とコンピューターシミュレーションによる電子材料ペロブスカイトセラミックスの欠陥構造の解析
- エピタキシャルSrBi_2Ta_2O_9薄膜の界面構造
- 誘電体材料の電子顕微鏡による解析評価
- 3D45 AES を用いた MnZn フェライトの粒界の評価
- 携帯電話用薄膜インダクタ
- Pb(Zr,Ti)O_3薄膜のウエットエッチングにおけるダメージのLaNiO_3導電性酸化物薄膜による低減
- FeNiSiO/SiO_2高抵抗積層グラニュラー膜の磁気特性
- 2C21 BaTiO_3-Nb_2O_5-CoO 系における焼結挙動と特性
- MBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造と表面構造
- 3A17 MBE 法による BaO、TiO_2 積層膜の作製と構造解析
- 26p-V-8 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の表面構造(II)
- 26p-V-7 SrTiO_3基板上にMBE法で作製したBaTiO_3薄膜の結晶構造(I)
- 2-1F02 酸素ラジカル源を用いた MBE 酸化物薄膜の構造と物性
- 2-1F01 アナターゼ型 TiO_2 薄膜の作製と評価
- 積層セラミクスチップ部品とモジュールのレーザー穴開け
- マンガン亜鉛フェライトセラミックス粒界のオージェ電子分光(表面・界面・薄膜と分析化学)
- トンネル分光法によるSrTiO_3セラミックス表面の観察(酸化物系導電セラミックス)(導電性セラミックス)
- セラミックスインテグレーション技術による先端マイクロ波集積回路(セラミックスインテグレーション)
- マイクロ波・ミリ波セラミックスインテグレーション (特集 セラミックスインテグレーション)
- 圧電体セラミックス : PZT の基礎と応用
- 3D05 ローカルエピタキシャル成長を利用した単配向 Bi 層状強誘電体薄膜の低温合成
- 新しい薄膜モジュールにおける配線接続技術(セラミックスインテグレーション)
- 収束イオンビーム法による薄膜受動集積回路の局所微小領域観察
- 超小型積層セラミックチップ部品と積層モジュールの開発
- 層状ペロブスカイトNa_2La_2Ti_3O_の構造解析とイオン伝導性
- AlNセラミックスの熱伝導率に対するCF_4ガス雰囲気中加熱処理の効果
- CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー膜の狭い強磁性共鳴ピークに対するPd添加効果
- 粒界の結晶構造を見る-電子顕微鏡と分子動力学法
- 下地膜によるCo-Smアモルファス薄膜の熱処理挙動改善
- Co-Smアモルファス薄膜の高周波磁気特性
- 非常に狭い強磁性共鳴線幅を有するCoFeSiO/SiO2積層グラニュラー磁性膜を用いたダブルスパイラル構造インダクタ
- Pd添加CoFeSiO/SiO_2積層グラニュラー磁性薄膜の高周波透磁率特性
- 急冷された酸化マグネシウム-モンチセライト焼結体の高分解能TEM並びにSTEMによる研究(セラミックスの微細構造)
- CSP RF-IC用スパイラルインダクタの磁性薄膜装荷による近傍配線へのクロストーク抑制効果の実験的検討
- 電子材料セラミクスにおける粒界の微細構造
- 永久磁石膜の直流バイアス磁界を用いたチューナブル磁気デバイスの基礎検討
- 閉磁路RF平面スパイラルインダクタの漏れ磁束を考慮した一軸磁気異方性薄膜の磁気モーメント制御