Pb(Zr,Ti)O_3薄膜のウエットエッチングにおけるダメージのLaNiO_3導電性酸化物薄膜による低減

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概要

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• We have investigated the degradation of ferroelectric property of Pb(Zr,Ti)O3(PZT) thin films derived from wet etching of PZT thin films. We have also investigated the reduction of the degradation with LaNiO3 (LNO) thin films as a buffer layer between Pt and PZT thin films. The polarization and dielectric constant of the PZT thin films were reduced to about 70% through wet etching. It has found that the degradation can be avoided with LNO thin films.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2007-12-01

著者

• 小林 健

  (独)産業技術総合研究所

• 前田 龍太郎

  独立行政法人 産業技術総合研究所

• 前田 龍太郎

  産業技術総合研究所

• 近藤 龍一

  太陽誘電(株)ワイヤレスインフォメーションネットワークグループ先端材料デバイス部

• 近藤 龍一

  太陽誘電(株)

• 小林 健

  産業技術総合研究所

• 一木 正聡

  産業技術総合研究所

• 一木 正聡

  (独)産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門 ネットワークmems研究グループ

• 前田 竜太郎

  産業技術総合研 集積マイクロシステム研究セ

• 小林 健

  産業技術総合研

• 前田 龍太郎

  産業技術総合研

• 前田 龍太郎

  独立行政法人 産業技術総合研究所 先進製造プロセス研究部門

• 一木 正聡

  産業技術総合研

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